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IXFH54N65X3 发布时间 时间:2025/8/5 22:54:28 查看 阅读:15

IXFH54N65X3 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)制造的高功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压、高电流应用设计。该器件采用先进的沟道技术,提供低导通电阻和快速开关性能,适用于电源转换、电机控制、UPS 系统、工业自动化和电动车充电系统等高要求场景。IXFH54N65X3 采用 TO-247 封装,具备良好的热管理和可靠性,适合在高温环境下运行。

参数

类型:MOSFET(N沟道)
  漏源电压(Vds):650V
  漏极电流(Id):54A
  导通电阻(Rds(on)):0.048Ω
  栅极电荷(Qg):180nC
  功率耗散(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFH54N65X3 的核心优势在于其优异的导通和开关性能。其低导通电阻(Rds(on))可降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得在高电压环境下仍能保持良好的导电能力。此外,其高电流承载能力和高耐压特性使其适用于高压直流电源转换、工业电机驱动和不间断电源(UPS)系统等应用场景。
  在开关性能方面,IXFH54N65X3 具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),有助于实现快速开关操作,从而降低开关损耗。这种特性对于高频开关应用(如DC-DC转换器和逆变器)尤为重要。
  从热管理角度来看,TO-247 封装提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。同时,该器件具备较高的热稳定性,能够在高温环境下保持可靠工作,延长系统寿命。另外,其设计还考虑了抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护作用。

应用

IXFH54N65X3 被广泛应用于多种高功率电子系统中。例如,在电源系统中,它被用于构建高效率的AC-DC和DC-DC转换器;在工业自动化和电机驱动系统中,该器件用于实现高效的功率控制;在不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET可用于构建高效的逆变器模块;在新能源领域,如电动车充电器和太阳能逆变器中,该器件也被用于功率转换环节,以提高整体系统效率和可靠性。此外,该器件也可用于高功率LED驱动、焊接设备和感应加热等应用。

替代型号

IXFH54N65X2, IXFH48N65B3, IRFP4668

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IXFH54N65X3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥100.33000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)54A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)59毫欧 @ 27A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.2V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)49 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3360 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)625W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXFH)
  • 封装/外壳TO-247-3