型号：UWX1C100MCQ1PB
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：2.8 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：11.2 A
　　最大导通电阻 RDS(on) @ VGS = 10 V：45 mΩ
　　最大导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V：60 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：330 pF @ VDS = 15 V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ VDS = 15 V
　　反向传输电容（Crss）：40 pF @ VDS = 15 V
　　总栅极电荷（Qg）：7.5 nC @ VGS = 10 V
　　上升时间（tr）：15 ns
　　下降时间（tf）：10 ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（PD）：1.6 W @ TA = 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70

UWX1C100MCQ1PB 采用 Vishay 先进的沟槽场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势在于低 RDS(on)，在 VGS = 10V 时典型值仅为 45mΩ，而在较低驱动电压 4.5V 下也能保持 60mΩ 的低阻状态，这使得它非常适合用于电池供电设备中，能够显著降低导通损耗，提高整体能效。该器件的栅极电荷（Qg）仅为 7.5nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量非常少，从而减少了开关损耗，特别适用于高频工作的同步整流或降压转换器拓扑结构。
　　另一个关键特性是其小型化封装 PowerPAK SC-70，尺寸仅为 2mm x 2mm 左右，极大节省了 PCB 空间，满足现代便携式电子产品对小型化和高集成度的需求。尽管封装小巧，但其热性能经过优化，可通过底部焊盘有效散热，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。此外，该器件具有良好的跨导（Transconductance）和稳定的阈值电压控制，保证了在不同温度和工艺偏差下的一致性表现。
　　UWX1C100MCQ1PB 还具备较强的抗噪能力和静电放电（ESD）防护能力，HBM 模型下的 ESD 耐压可达 ±2000V，提升了生产装配过程中的可靠性。其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 28ns），有助于减少非同步工作模式下的能量损耗和电压尖峰，提升系统稳定性。综合来看，这款 MOSFET 在效率、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。

UWX1C100MCQ1PB 广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理电路，用作负载开关以控制外设电源通断，防止漏电并延长待机时间。
　　在直流-直流（DC-DC）转换器中，该器件常被用于同步整流拓扑，作为下管或上管使用，尤其适用于降压型（Buck）转换器，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率，减少发热。此外，它也可用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的 H 桥驱动中，提供精确的电流控制和快速响应。
　　其他应用还包括热插拔控制器、LED 驱动电路、USB 电源开关以及各种嵌入式控制系统中的信号切换和功率分配模块。由于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，该器件也适用于工业控制设备、传感器模块和物联网（IoT）终端设备中的电源管理单元。其小型封装特别适合高度集成的主板设计和模块化电源方案，能够在有限空间内实现高性能功率控制功能。

Si2302DDS-T1-GE3
　　AO3400A
　　FDMC7662