类型：双向 TVS 二极管阵列
　　反向截止电压（VRWM）：2.8V
　　击穿电压（VBR）：最小 3.11V，典型 3.3V，最大 3.67V
　　钳位电压（VC）：9.2V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：最大 1.1A
　　峰值脉冲功率（PPEAK）：100W（8/20μs 波形）
　　漏电流（IR）：最大 1μA @ VRWM
　　电容值（Cj）：典型 1.5pF @ 0V，最大 2.5pF @ 0V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-923
　　引脚数：2
　　极性：双向

UWT0G221MCL1GB 具备多项关键特性，使其成为高速信号线路保护的理想选择。首先，其超低结电容（典型值仅为 1.5pF）显著降低了对高频信号传输的影响，避免了因寄生电容引起的信号衰减、反射或失真，因此特别适用于高达数百 MHz 甚至 GHz 级别的数据通道保护，例如智能手机中的天线开关模块、射频前端电路或高速数字接口。其次，该器件采用双向对称结构设计，能够在正向和负向瞬态过压事件中均提供均衡且高效的钳位能力，确保无论极性如何变化都能有效抑制电压尖峰，这对于处理交流信号或差分对线路至关重要。再次，其快速响应时间小于 1ns，几乎可以在 ESD 事件发生的瞬间立即导通并将能量泄放到地，从而防止瞬态高压传递到后级 IC，极大提升了系统的鲁棒性和寿命。此外，UWT0G221MCL1GB 的漏电流极低（最大 1μA），在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗，不会对电源管理造成负担，这在电池供电设备中尤为重要。该器件还具备优良的热稳定性与长期可靠性，在反复承受 ESD 冲击后仍能保持性能不变，符合 AEC-Q101 汽车级认证标准，可用于车载信息娱乐系统或 ADAS 传感器接口。其 SOD-923 封装不仅体积小巧（仅约 1.0mm x 1.6mm），而且具有良好的焊接可靠性和自动化贴片兼容性，便于大规模生产。最后，该 TVS 器件通过了 IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV 接触放电）、IEC 61000-4-4（±400V EFT）等多项国际电磁兼容测试标准，证明其在真实电磁干扰环境下的卓越防护能力。
　　值得一提的是，UWT0G221MCL1GB 在材料选择和制造工艺上也进行了优化，采用无卤素绿色封装材料，符合现代环保法规要求。其内部芯片结构经过精细光刻和离子注入调控，实现了精准的击穿电压控制和一致的批次间性能表现，减少了设计中的安全裕量需求，提高了整体系统效率。这些综合特性使得 UWT0G221MCL1GB 成为高端消费电子、工业物联网节点和汽车电子模块中不可或缺的电路保护元件。

UWT0G221MCL1GB 主要应用于需要高性能瞬态电压保护的各类电子系统中。常见使用场景包括便携式消费电子产品中的高速接口保护，如智能手机和平板电脑的 USB Type-C、Micro-USB 数据端口，用于抵御用户插拔过程中产生的静电放电（ESD）冲击；也可用于 HDMI、DisplayPort 等高清视频接口，保障信号完整性的同时防止外部过压损坏主控芯片。在音频系统中，该器件常被部署于 3.5mm 耳机插孔或麦克风输入线路，以消除人体接触带来的 ESD 干扰，提升用户体验和产品可靠性。此外，在无线通信设备中，UWT0G221MCL1GB 可用于 Wi-Fi 模块、蓝牙天线馈线或 GPS 接收前端，因其低电容特性不会影响射频信号的传输质量。工业控制领域中，它可保护 RS-485、CAN 总线等通信接口免受工业环境中的电快速瞬变（EFT）和感应雷击影响。在汽车电子方面，该器件适用于车载摄像头、毫米波雷达传感器、车内信息显示终端等非动力系统接口的二级保护电路。同时，也可用于可穿戴设备、智能家居传感器节点、医疗监测仪器等人机交互频繁的小型化电子装置中，提供可靠的 ESD 防护解决方案。

SM712-02MTD
　　TPD1E10B06DPYR
　　ESD9L5.0ST5G