时间：2025/6/19 2:17:09
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CST0630F-1R0M是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频率功率晶体管，主要用于射频和微波应用领域。它具有出色的增益性能、高输出功率和优秀的线性度，广泛适用于通信基站、雷达系统以及其他高频功率放大场景。该器件采用先进的封装技术以优化热性能和电气性能。
型号：CST0630F-1R0M
工作频率范围：2 GHz 至 6 GHz
最大输出功率：40 W
增益：12 dB
效率：55 %
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
供电电压：28 V
静态电流：1.0 A
封装形式：Flange Package
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CST0630F-1R0M采用了增强型氮化镓HEMT结构设计，具备优异的大信号性能和稳定性。其宽频带支持能够适应多种应用场景，同时通过优化的内部匹配网络确保了最佳的工作效率与线性表现。
此外，这款晶体管还具有低热阻的特性，可有效降低工作时的温升问题，从而提升整体系统的可靠性。得益于氮化镓材料的高电子迁移率和高击穿场强优势，该器件在高频段表现出卓越的功率密度和转换效率。
CST0630F-1R0M非常适合用于无线通信基础设施建设，例如4G/5G基站中的功率放大器模块。同时，它也可以应用于航空航天领域的T/R组件以及气象雷达等高性能要求场合。
其他典型应用场景包括：
- 军事通信系统
- 卫星地面站设备
- 工业加热装置
- 医疗成像设备
CST0630F-2R0M
CST0630F-3R0M
