电容值：68μF
　　额定电压：6.3V DC
　　介电材料：X5R
　　电容容差：±20%
　　封装尺寸：7343（2112 metric）
　　温度范围：-55°C ~ +85°C（部分条件下可达+125°C）
　　最大厚度：约2.0mm
　　端接类型：金属化端子（Metal Terminal）
　　ESR典型值：≤3mΩ（频率相关）
　　ESL典型值：≤300pH（结构优化低电感）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C

UWG0J680MCL1GB具备出色的机械强度和可靠性，得益于其独特的金属终端结构设计。这种结构通过在陶瓷主体两端形成一层可延展的金属层，显著增强了元件对印刷电路板（PCB）弯曲和热循环应力的抵抗能力，从而大大降低了因机械形变引起的开裂风险。这一特性特别重要，因为在大型封装如7343中，传统的镍阻挡层端接（Ni Barrier Termination）更容易在焊接后受到外力影响而产生微裂纹，进而导致电容短路或漏电流增加。金属终端技术不仅提高了产品的耐久性，还提升了整体系统的长期稳定性，尤其适用于车载电子、航空航天及工业自动化等对可靠性要求极高的领域。
　　该器件采用X5R类II型介电材料，能够在-55°C至+85°C的宽温度范围内保持电容值的变化控制在±15%以内，结合±20%的初始容差，实际可用容量下限仍能维持在一个合理水平。相比于Y5V等介电材质，X5R在温度稳定性方面表现更优，更适合用于电源去耦、中间总线电压滤波等关键节点。此外，虽然陶瓷电容的直流偏压效应较为明显，但UWG系列在设计时已对介质层进行优化，在6.3V额定电压下施加5V偏压时仍能保留约70%-80%的标称电容，这对于确保电源轨稳定性至关重要。
　　从电气性能角度看，UWG0J680MCL1GB具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频环境下表现出色。例如，在数百kHz至数MHz的开关频率下，它能够高效地抑制电压纹波和噪声，优于大多数电解电容和聚合物电容。此外，陶瓷电容本身无极性，不存在极性接反的问题，也不像电解类电容那样存在干涸老化现象，因此寿命更长、维护成本更低。综合来看，该器件将大容量、小体积、高可靠性和优良高频响应融为一体，代表了当前高端MLCC技术的发展方向。

UWG0J680MCL1GB常用于对电源完整性要求较高的高性能电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：服务器主板、网络通信设备（如交换机、路由器）、高端FPGA和ASIC芯片的电源去耦网络。在这些系统中，核心处理器通常需要稳定且低噪声的供电电压，尤其是在动态负载切换过程中会产生瞬态电流需求，此时低ESR、低ESL的大容量陶瓷电容能够快速响应并补充能量，有效抑制电压跌落和过冲现象，从而保障数字逻辑的正常运行。
　　在汽车电子领域，该器件被广泛应用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）以及电池管理系统（BMS）中的DC-DC转换器输出滤波环节。由于其通过AEC-Q200认证，能够在剧烈温变和振动环境中稳定工作，因此成为替代传统钽电容的理想选择。相比钽电容，UWG0J680MCL1GB不仅避免了潜在的着火风险，而且在浪涌电流承受能力和耐压余量方面更具优势。
　　此外，在工业自动化控制器、医疗成像设备和测试测量仪器中，该电容也扮演着关键角色。特别是在精密模拟前端供电部分，需要干净的电源轨来保证信号链的信噪比（SNR）和线性度，此时使用此类高性能MLCC可以显著提升系统精度。另外，由于其非磁性特性，不会引入额外的电磁干扰，适合用在敏感射频电路附近作为旁路电容。总之，凡是需要高可靠性、高容量、快速响应的去耦或储能场合，UWG0J680MCL1GB都是一个值得信赖的选择。

GRM72C7X5R6D686ME51E
　　CLT7343NS686KD-K