型号：UVZ2W2R2MPD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：-6.9 A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-25 A
　　导通电阻（RDS(on)）：22 mΩ（@VGS = -4.5 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：30 mΩ（@VGS = -2.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：590 pF（@VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（@VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：40 pF（@VDS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：11 nC（@VGS=4.5V）
　　功耗（PD）：2.5 W（TC=25°C）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

UVZ2W2R2MPD采用Vishay成熟的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构和降低寄生效应显著提升了器件的性能表现。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V时仅为22mΩ，这意味着在相同电流条件下，器件的导通损耗非常小，从而有效提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它能够延长电池使用寿命并减少发热问题。同时，该MOSFET在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下仍能保持较低的RDS(on)（30mΩ），这使得它兼容3.3V或更低逻辑电平的控制信号，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或其他数字IC驱动，简化了系统设计。
　　该器件的封装采用PowerPAK SO-8L，这是一种双片式散热增强型表面贴装封装，相较于传统SO-8封装，具有更优的热传导路径和更高的电流承载能力。其底部裸露焊盘可与PCB上的大面积铜箔连接，实现高效散热，有助于维持芯片在高负载条件下的稳定运行。此外，该封装还减少了内部引线电感，进一步提升了高频开关性能。
　　UVZ2W2R2MPD具备出色的动态特性，包括低输入电容（590pF）、低输出电容（190pF）和极低的反向传输电容（40pF），这些参数共同作用使得器件在高速开关应用中表现出色，开关损耗小，响应速度快。其栅极电荷Qg仅为11nC（@4.5V），意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低驱动器的功耗和复杂度。
　　在可靠性方面，该MOSFET经过严格测试，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的应用。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于某些需要续流功能的拓扑结构。综合来看，UVZ2W2R2MPD是一款集低导通电阻、高效率、良好热性能和高可靠性于一体的P沟道MOSFET，特别适合用于空间受限但对性能要求较高的便携式电源管理系统。

UVZ2W2R2MPD广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他移动终端中用于控制不同功能模块的供电通断。由于其低导通电阻和低静态电流特性，非常适合用于电池供电系统以最大限度地减少能量损耗。
　　在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流或高端开关配置，尤其是在非隔离式降压（Buck）变换器中作为上管使用，配合控制器实现高效的电压调节。其快速开关能力和低栅极驱动需求使其在高频开关电源中表现出色，有助于缩小外围元件尺寸并提高功率密度。
　　此外，该MOSFET也常用于电机驱动、热插拔电路、LED驱动电源以及各类工业控制板卡中的电源切换模块。在热插拔应用中，其软启动特性和过流保护兼容性可通过外部电路实现平稳上电，防止浪涌电流损坏系统。
　　由于其小型化封装和高集成度特点，UVZ2W2R2MPD也适用于空间紧凑的消费类电子产品主板、电源管理单元（PMU）和多路电源选择开关设计中。在USB供电、充电管理IC配套电路以及背光控制等领域也有广泛应用。凭借其优异的电气和热性能，该器件已成为许多设计师在中低压P沟道MOSFET选型中的优选方案之一。

Si7469DP-T1-GE3
　　AO4479