时间：2025/4/29 16:38:43
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HKG3DF222MG2BW(2KV222M)是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等电力电子应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其额定电压为2kV，额定电流为222A，适用于高电压和大电流的应用场景。
该型号的命名规则中包含了主要参数信息：2KV表示耐压值为2000V，222M表示持续电流能力为222A。此外，它还具备出色的抗雪崩能力和较低的栅极电荷，从而提高系统效率和可靠性。
额定电压：2000V
额定电流：222A
导通电阻：0.015Ω
栅极电荷：150nC
反向恢复时间：45ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 高额定电压（2kV）使其适合在高压环境下运行，例如工业设备中的高频开关电源。
2. 极低的导通电阻（0.015Ω）能够减少传导损耗，提高整体效率。
3. 出色的开关性能，得益于低栅极电荷和快速的反向恢复时间，可以实现更高的开关频率。
4. 支持极端温度环境，工作温度范围从-55℃到+175℃，确保在恶劣条件下依然稳定。
5. 内置ESD保护功能，增强器件的耐用性和可靠性。
6. 可靠的抗雪崩能力，允许在短路或过载情况下提供额外的安全保障。
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电站。
5. 大功率LED照明系统的驱动电路。
6. 各类需要高电压和大电流处理能力的电力电子装置。
HKG3DF222MG3CW, 2KV225M, IRFP260N
