MA0402CG241G500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,适用于高频、高效率的电源转换应用。该型号由一家领先的半导体制造商生产,设计用于满足现代电力电子系统对小型化、轻量化和高性能的需求。其采用先进的封装技术,能够有效降低开关损耗,并支持更高的工作频率。
这款芯片广泛应用于数据中心电源、电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及消费类快充适配器等领域。
型号:MA0402CG241G500
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:15A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:80nC
开关频率:高达 5MHz
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
热阻:1.5°C/W
MA0402CG241G500 的主要特性包括:
1. 基于氮化镓技术,具备超低导通电阻和快速开关速度。
2. 支持高频率操作,可显著减小磁性元件的体积和重量。
3. 高效的热管理设计,确保在高功率应用场景下的稳定运行。
4. 内置保护功能,如过温保护和短路保护,提高了系统的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场应用。
6. 封装形式兼容传统 MOSFET,便于现有设计的升级和替换。
7. 动态性能优越,可减少电磁干扰(EMI),提升整体系统效率。
MA0402CG241G500 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能微型逆变器和储能系统。
3. 电动车充电桩及车载充电器。
4. 工业电机驱动与伺服控制器。
5. 消费电子产品中的 USB-PD 快速充电器。
6. 数据中心服务器电源和其他高密度电源模块。
由于其卓越的性能表现,该器件特别适合需要高效率、高功率密度的设计方案。
MA0402CG241G300, MA0402CG241G600