时间：2025/10/7 15:08:46
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UVZ2F4R7MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET晶体管，采用先进的Trench MOS技术制造，专为高效率和低功耗应用设计。该器件封装在CST3（双扁平引线）小型表面贴装封装中，适合空间受限的便携式电子设备。UVZ2F4R7MPD具有低导通电阻（RDS(on)），可在低电压条件下实现高效开关操作，适用于电池供电系统中的负载开关、电源管理以及信号切换等场景。其P沟道结构允许在低侧或高侧开关配置中使用，尤其在高侧驱动中无需额外的电荷泵电路，简化了系统设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其适用于汽车电子环境。器件的栅极阈值电压较低，确保在逻辑电平信号下即可完全导通，提升了与微控制器或其他数字逻辑电路的兼容性。由于其小型化封装和高性能特性，UVZ2F4R7MPD广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网终端以及车载信息娱乐系统等现代电子设备中。
型号：UVZ2F4R7MPD
类型：P沟道MOSFET
封装：CST3
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.7A
脉冲漏极电流（IDM）：-14A
导通电阻RDS(on) Max @ VGS = -4.5V：65mΩ
导通电阻RDS(on) Max @ VGS = -2.5V：85mΩ
导通电阻RDS(on) Max @ VGS = -1.8V：110mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.5V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：典型值 590pF
输出电容（Coss）：典型值 175pF
反向传输电容（Crss）：典型值 50pF
功率耗散（PD）：1W（TA=25°C）
热阻结到环境（RθJA）：250°C/W
热阻结到外壳（RθJC）：40°C/W
UVZ2F4R7MPD采用ROHM专有的Trench MOS工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，从而显著降低导通损耗并提升整体能效。该器件的RDS(on)在VGS = -4.5V时最大仅为65mΩ，在低电压应用中表现出色，特别适合用于电池供电系统中以延长续航时间。其在VGS = -2.5V和-1.8V下的导通电阻分别为85mΩ和110mΩ，说明即使在较低的驱动电压下仍能保持良好的导通能力，增强了与3.3V或更低逻辑电平系统的兼容性。该MOSFET的栅极阈值电压范围为-0.5V至-1.0V，确保在轻载或启动状态下也能可靠开启，避免因阈值过高导致的误动作或延迟。
器件的小型CST3封装尺寸仅为约1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，极大节省PCB布局空间，适用于高密度集成设计。同时，该封装具备良好的散热性能，结合40°C/W的结到外壳热阻，能够在有限空间内有效传导热量。UVZ2F4R7MPD具有出色的雪崩耐受能力和抗静电能力（HBM ≥ 2kV），提高了在复杂电磁环境下的运行稳定性。其输入、输出和反向传输电容分别约为590pF、175pF和50pF，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，适用于高频开关应用。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其经过严格的老化、温度循环和机械应力测试，适用于汽车空调、车身控制模块、LED照明驱动等严苛工作环境。所有这些特性共同使UVZ2F4R7MPD成为高性能、高可靠性电源管理方案的理想选择。
UVZ2F4R7MPD广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载切换，如智能手机和平板电脑中的背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源启停控制。在电池管理系统中，该器件可用于过放电保护电路或充放电路径的通断控制，凭借其低RDS(on)减少发热并提高系统效率。在汽车电子领域，它被用于车身电子模块，如车窗升降器控制、座椅调节、门锁驱动以及车内照明调光等场景，得益于其AEC-Q101车规认证和宽工作温度范围，可在-40°C至125°C甚至更高结温下稳定运行。此外，该MOSFET也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关配置，特别是在非隔离式降压拓扑中作为上管使用，无需额外电荷泵即可实现有效驱动。工业物联网设备、传感器节点和无线通信模块同样受益于其小型封装和低静态电流特性，有助于构建紧凑且节能的嵌入式系统。总之，UVZ2F4R7MPD凭借其优良的电气性能和高可靠性，已成为现代电子设计中不可或缺的关键元器件之一。
DMG2305UX-7
SI2305DDS-T1-E3
FDMC86281
AO3415
RTQ2003
