时间：2025/6/14 11:12:02
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UVZ2A101MPD是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PDFN33-8封装，具有小尺寸、低导通电阻和高开关速度的特点，适用于消费电子、通信设备以及工业控制中的各种高效能电源管理应用。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景，能够显著提高效率并降低功耗。
型号：UVZ2A101MPD
品牌：Toshiba
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
封装：PDFN33-8
Vds（漏源极耐压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.1mΩ @ Vgs=10V
Id（连续漏极电流）：165A
Qg（栅极电荷）：7nC
Eoss（输出电容能量损耗）：94nJ
Vgs(th)（阈值电压）：1.2V~2.4V
工作温度范围：-55℃ to +150℃
UVZ2A101MPD的低导通电阻使其在高电流应用中表现出色，可有效减少功率损耗。
其小尺寸PDFN33-8封装适合空间受限的设计，同时具备良好的散热性能。
该器件具有快速开关能力，非常适合高频开关应用，如同步整流和降压转换器。
MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了稳定性和可靠性。
此外，它支持宽范围的工作温度，适应多种恶劣环境下的应用需求。
UVZ2A101MPD常用于以下领域：
1. DC-DC转换器中的同步整流
2. 消费类电子产品的负载开关
3. 工业设备中的电机驱动
4. 笔记本电脑和智能手机的充电管理电路
5. 各种高效能电源管理系统
6. 电池保护电路中的开关元件
其出色的电气特性和紧凑的封装形式使其成为众多高密度设计的理想选择。
TPS22916
Si7447DP
FDMQ8207
