时间：2025/7/12 14:03:21
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RF03N3R3C500CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的射频功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在高频段表现出优异的性能，适用于无线通信、雷达系统以及其他射频功率放大器相关领域。
该型号属于RF系列，具有高增益、低噪声以及高线性度的特点，同时能够承受较高的工作电压。其封装形式经过优化以支持高散热需求，并且具备出色的可靠性和稳定性。
最大输出功率：50W
频率范围：2GHz - 4GHz
增益：12dB
工作电压：28V
导通电阻：0.3Ω
封装形式：TO-263
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
输入匹配阻抗：50Ω
输出匹配阻抗：50Ω
1. 基于氮化镓（GaN）技术，提供卓越的射频性能和高效率。
2. 频率范围覆盖广泛，适合多种射频应用场景。
3. 高增益和高线性度，确保信号传输的质量。
4. 封装设计考虑了热管理，可有效降低温升并提高可靠性。
5. 工作电压较高，适应复杂的工作环境。
6. 输入输出匹配阻抗为50Ω，便于与其他射频元件集成。
RF03N3R3C500CT主要应用于高频通信系统，包括但不限于以下领域：
1. 无线基础设施中的射频功率放大器（如基站）。
2. 雷达系统的发射机模块。
3. 航空航天与国防领域的高性能射频设备。
4. 医疗成像设备中的高频信号处理部分。
5. 测试测量仪器中对高频信号有严格要求的部分。
RF03N3R3C500DT, RF04N3R3C500CT
