UVZ1V102MHD 时间：2025/5/10 9:55:20 阅读：5

UVZ1V102MHD 是一款基于超结 (Super-Junction) 技术的 MOSFET 器件，专为高频开关应用而设计。该器件具有较低的导通电阻和极佳的开关性能，能够有效降低功耗并提升效率。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型，适合自动化生产环境。
　　UVZ1V102MHD 的典型应用场景包括开关电源、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及其他需要高效能和高频率操作的电子设备中。

参数

型号：UVZ1V102MHD
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650 V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20 V
　　连续漏极电流(Id)：10.8 A
　　导通电阻(Rds(on))：145 mΩ
　　总栅极电荷(Qg)：37 nC
　　输入电容(Ciss)：1800 pF
　　输出电容(Coss)：95 pF
　　反向恢复时间(trr)：75 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

UVZ1V102MHD 具备以下显著特性：
　　1. 采用先进的超结技术，提供更低的 Rds(on)，从而减少导通损耗。
　　2. 高速开关性能，适用于高频电力转换应用。
　　3. 极低的栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗。
　　4. 提供优异的雪崩能力和抗静电能力，确保在恶劣环境下稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
　　6. 封装设计紧凑，便于在小型化设备中使用。
　　7. 支持宽范围的工作温度，适应不同气候条件下的应用需求。
　　总体而言，UVZ1V102MHD 在性能和可靠性方面表现出色，是许多高效能电力电子系统的理想选择。

应用

UVZ1V102MHD 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（Switching Power Supplies）
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 功率因数校正（PFC）电路
　　4. 电机驱动和控制
　　5. 太阳能逆变器
　　6. LED 照明驱动电路
　　7. 电池充电器
　　由于其高性能和可靠性，UVZ1V102MHD 成为这些应用中实现高效能源管理的核心元件之一。