类型：N 通道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　连续漏极电流（Id）：4.9 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：19.6 A
　　栅源电压（Vgs）：±8 V
　　导通电阻 Rds(on)：47 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　导通电阻 Rds(on)：62 mΩ @ Vgs = 2.5 V
　　阈值电压（Vth）：0.65 V ~ 0.95 V
　　输入电容（Ciss）：390 pF @ Vds = 10 V
　　反向恢复时间（trr）：17 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SC-70
　　安装类型：表面贴装 SMD

UVY2W4R7MPD 采用 Vishay 先进的 TrenchFET 技术，该技术通过在硅片上构建垂直沟道结构来显著降低导通电阻（Rds(on)），从而提升整体能效。相比传统的平面型 MOSFET，TrenchFET 结构能够更有效地利用芯片面积，在相同封装尺寸下实现更高的电流承载能力和更低的功率损耗。这一特性对于便携式设备尤为重要，因为这些设备通常依赖电池供电，任何额外的能量浪费都会直接影响续航时间。此外，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，例如在 Vgs = 2.5V 时，其典型 Rds(on) 仅为 62mΩ，这意味着它可以轻松地与低压微控制器或逻辑 IC 直接接口而无需额外的电平转换或驱动电路。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。PowerPAK SC-70 封装采用了创新的散热设计，使芯片结到环境的热阻显著降低，有助于将内部产生的热量快速传导至 PCB 板上，避免局部过热导致的性能下降或器件损坏。这对于长时间运行或处于高温环境中的应用至关重要。此外，该封装体积小巧（典型尺寸约为 2mm x 2mm），非常适合高密度布局的多层电路板设计，尤其适合移动终端产品追求轻薄化的趋势。
　　UVY2W4R7MPD 还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，增强了其在瞬态过压、静电放电（ESD）等恶劣工况下的鲁棒性。其高达 ±2kV HBM 的 ESD 耐受能力确保了在生产、装配和使用过程中的可靠性。同时，较低的输入电容（Ciss = 390pF）意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，进一步降低了驱动器的负担并提升了系统的整体响应速度。综合来看，这些特性使得 UVY2W4R7MPD 成为中小功率开关应用的理想选择，特别是在注重效率、尺寸和可靠性的现代电子系统中表现出色。

UVY2W4R7MPD 广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。在便携式消费电子产品领域，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，它常被用作电源路径管理中的负载开关，用于控制不同功能模块（如显示屏、摄像头、传感器）的供电通断，以实现节能待机和动态电源管理。由于其低导通电阻和小封装尺寸，非常适合作为电池与负载之间的主控开关，最大限度减少电压降和发热问题。
　　在电源管理系统中，该器件可用于同步整流、DC-DC 变换器（尤其是降压 buck 转换器）的低端开关，配合电感和续流二极管完成高效的能量转换过程。其快速的开关特性和低栅极电荷使其能够在数百 kHz 至数 MHz 的开关频率下稳定工作，满足现代开关电源对高效率和小型化的需求。此外，在热插拔电路和过流保护模块中，UVY2W4R7MPD 也发挥着重要作用，能够迅速切断故障电流，保护后级电路免受损害。
　　工业和通信设备中同样存在大量应用场景。例如，在 FPGA、ASIC 或微处理器的辅助电源轨中，用于实现精确的上电时序控制；在 USB 端口的电源开关中，提供限流和短路保护功能；在电机驱动或继电器驱动电路中作为低边开关使用。得益于其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），该器件还能适应较为严苛的工业环境。总而言之，凡是需要一个高性能、小体积、低功耗 N 沟道 MOSFET 的场合，UVY2W4R7MPD 都是一个极具竞争力的选择。

Si2302DDS-T1-E3
　　DMG2302U-K7-7
　　FDS6670A
　　BSS138LT3G
　　AOZ8808AENL