型号：2SJ503
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.8A（@Vgs = -10V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-19A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω（@Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω（@Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：730pF（@Vds = 10V）
　　输出电容（Coss）：240pF（@Vds = 10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds = 10V）
　　总栅极电荷（Qg）：13nC（@Vgs = -10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223

2SJ503具备出色的导通性能和快速开关响应能力，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提升系统能效。在Vgs为-10V时，Rds(on)仅为35mΩ，在实际应用中能够有效减少发热，提高电源转换效率。即使在较低的栅极驱动电压（如-4.5V）下，其导通电阻仍保持在45mΩ以下，表明该器件在低压控制环境下依然具备良好性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了器件在不同工作条件下的稳定开启与关闭，避免因温度漂移或制造偏差导致误动作。其输入、输出及反向传输电容数值适中，有助于减小高频开关过程中的寄生振荡风险，同时降低EMI干扰。总栅极电荷仅为13nC，意味着驱动电路所需提供的能量较小，有利于简化驱动设计并降低驱动功耗。
　　2SJ503采用SOT-223小型化封装，具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。该封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提高了制造效率和产品一致性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及户外设备等应用场景。
　　此外，2SJ503具备一定的抗雪崩能力和抗静电能力，增强了其在突发电压冲击或操作不当情况下的耐用性。通过优化内部结构设计，该器件在高频开关状态下仍能保持较低的开关延迟时间，开启延迟约15ns，关断延迟约30ns，适用于高达数百kHz的开关频率应用。综合来看，2SJ503是一款性能均衡、可靠性高的P沟道MOSFET，适合多种中等功率开关应用需求。

2SJ503广泛应用于各类中低功率电源管理电路中，典型用途包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动模块以及电源多路复用系统。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、移动电源中，常用于电池充放电控制和电源路径管理，利用其低导通电阻特性来延长续航时间。
　　在工业控制系统中，2SJ503可用于继电器驱动、LED恒流源控制和隔离式电源的高端开关，其稳定的电气特性和宽温工作范围保证了系统长期运行的可靠性。此外，在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车灯调光电路或车载充电器中，满足汽车级应用对温度和振动的严苛要求。
　　由于其P沟道特性，2SJ503特别适合用于高端开关配置，无需复杂的自举电路即可实现高效控制，简化了电源设计。在逆变器、UPS不间断电源和太阳能充电控制器中，也可作为辅助开关元件使用。其快速响应能力和低开关损耗使其在高频PWM调制应用中表现出色，有助于提升整体系统动态响应速度和能效水平。

2SJ355, 2SJ201, IRF9Z24NPBF, FDS6680A