时间：2025/4/28 18:07:28
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FQPF70N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（现为Onsemi）生产。这种器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。
该MOSFET的主要特点是其较低的Rds(on)值，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。同时，它还具备较高的雪崩击穿能量，增强了在异常情况下的耐用性。
型号：FQPF70N10
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：8.5mΩ
Id（连续漏极电流）：70A
Pd（总功耗）：239W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FQPF70N10具有以下主要特性：
1. 高效的开关性能，适用于高频开关电路。
2. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
3. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
4. 较高的雪崩击穿能量，提升了抗浪涌能力。
5. 支持大电流操作，适合高功率应用场景。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心元件，实现高效的电压调节。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统的功率分配与控制。
由于其出色的电气性能和可靠性，FQPF70N10成为了许多高要求应用的理想选择。
IRF740,
FDP70N10,
STP70NF10,
IXFK70N10T2
