型号：UVR2C100MPD1TD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.3 A（在TC=25°C时）
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：16 mΩ（最大值，VGS = 4.5 V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6 V ~ 1.0 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 5.8 nC（在VGS = 4.5 V时）
　　输入电容（Ciss）：典型值 380 pF（在VDS = 10 V时）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SC-70 或 SOT-363（双MOSFET配置）
　　安装方式：表面贴装
　　极性：N沟道
　　功耗（Ptot）：1.4 W（最大值，TA=25°C）

UVR2C100MPD1TD采用Vishay先进的沟槽场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其16 mΩ的最大RDS(on)确保了在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率并减少散热需求。该器件的栅极电荷（Qg）仅为5.8 nC左右，显著降低了驱动电路所需的能量，在高频PWM控制应用中可有效减小开关损耗。
　　该MOSFET具有快速开关响应能力，得益于其低输入和输出电容特性，适合用于同步整流、负载切换和高端/低端驱动拓扑结构。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能在极端环境温度下可靠运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。
　　UVR2C100MPD1TD还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提升了器件在瞬态过压情况下的鲁棒性。内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间，有助于降低感性负载关断过程中的电压尖峰风险。此外，该器件采用符合RoHS指令的无铅封装工艺，并通过AEC-Q101车规认证（若适用），支持在车载电子系统中的部署。
　　由于其小型化封装（如SC-70或SOT-363），UVR2C100MPD1TD特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式消费类电子产品中的电源管理单元。它可以在电池供电系统中作为主开关或背光驱动开关使用，提供高效的能量传递路径。其低阈值电压特性也允许使用低电压逻辑信号直接驱动，简化了控制电路设计。

UVR2C100MPD1TD广泛应用于需要高效能、小尺寸和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理模块，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光驱动电路或摄像头模块供电控制。此外，它也常被用于DC-DC降压或升压转换器中作为同步整流开关，以提升转换效率并减少热量产生。
　　在电池管理系统（BMS）和充电控制电路中，该器件可用于充放电通路的通断控制，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，能够有效降低能量损耗并延长电池续航时间。其高速开关特性也使其适用于脉宽调制（PWM）电机驱动电路，特别是在微型直流电机或振动马达的控制中表现优异。
　　此外，UVR2C100MPD1TD还可用于各类工业传感器模块、IoT设备、无线耳机电源管理以及USB供电路径控制等场景。其小型封装使其成为高密度PCB布局的理想选择，尤其适用于空间受限但对电气性能要求较高的应用。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车内照明驱动或辅助电源系统中，满足车载环境对可靠性和耐温性的严格要求。

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　　 "Si2302DDS",
　　 "AO3400",
　　 "FDMN760SP",
　　 "IRLML6344",
　　 "BSS138"
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