时间：2025/10/8 11:16:15
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UVR2A0R1MDD是一款由Vishay Siliconix生产的瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专门用于保护敏感电子设备免受瞬态电压冲击的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等引起的过电压事件。该器件属于表面贴装型封装，采用先进的半导体工艺制造，具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等特点，适用于多种工业、消费类及通信类电子产品中的电路保护应用。UVR2A0R1MDD能够在短时间内吸收高达数安培的浪涌电流，并将电压限制在安全范围内，从而有效防止下游元器件因过压而损坏。其设计符合RoHS环保标准，适合现代自动化贴片生产工艺，广泛应用于电源线、数据线、接口端口以及其他需要瞬态电压保护的场合。
类型：双向TVS二极管
工作电压（VWM）：2.0 V
反向击穿电压（VBR）：2.37 V（最小值）
最大钳位电压（VC）：5.0 V（在IPP = 1.0 A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：1.0 A（最大值）
峰值脉冲功率（PPPM）：600 W（8/20 μs波形）
漏电流（IR）：10 μA（最大值，在VWM下）
响应时间：小于1 ps
电容值（Cj）：典型值为300 pF（在0 V偏置下）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-523
UVR2A0R1MDD具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心优势在于极快的响应速度和稳定的钳位性能。由于TVS二极管的工作原理基于雪崩击穿机制，一旦线路中出现超过其反向击穿电压的瞬态过压，器件会立即从高阻态切换至低阻态，迅速将多余能量导通至地，从而限制电压上升幅度，保护后级电路。该器件的响应时间理论上可达到皮秒级别，远快于传统的过压保护元件如压敏电阻或气体放电管，因此特别适用于对响应速度要求极高的高速信号线路保护场景。
另一个显著特性是其低工作电压与低钳位电压的结合。UVR2A0R1MDD的工作电压仅为2.0V，适用于低压供电系统，例如3.3V或更低电压逻辑电路、USB接口、I/O端口、传感器信号线等。在1A的峰值脉冲电流下，其钳位电压被控制在5.0V以内，确保即使在瞬态事件发生时，负载端也不会承受过高电压，避免了对CMOS器件或微控制器造成损伤。此外，尽管其封装小巧（SOD-523），但能承受高达600W的峰值脉冲功率（依据8/20μs电流波形测试），展现出优异的能量吸收能力。
该TVS二极管还具有非常低的漏电流，在正常工作电压下漏电不超过10μA，不会对系统静态功耗产生明显影响，适合电池供电设备使用。同时，其结电容典型值为300pF，虽然相较于某些专用高速信号保护TVS略高，但在电源轨或低频信号线上仍可接受。器件采用无铅、绿色环保材料制造，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备良好的热稳定性和长期耐久性，可在恶劣环境条件下稳定运行。
UVR2A0R1MDD常用于各类便携式电子设备和嵌入式系统的过压保护方案中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的USB接口ESD防护；工业控制系统中传感器信号线的瞬态抑制；汽车电子模块的低电压电源轨保护；以及通信设备中RS-232、I2C、SPI等接口的抗干扰设计。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、医疗电子设备和智能家居产品中对可靠性和安全性要求较高的电路节点。由于其小型化封装和高效保护特性，非常适合空间受限且需高密度布局的设计需求。
[
"UVR2A0R1MDP",
"SM712-02MTD",
"TPD2E001DBVR",
"RCLAMP0504T"
]
