FN18N2R7C500PSG是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。其设计优化了导通电阻和开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:FN18N2R7C500PSG
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:200V
额定电流:18A
导通电阻(最大):2.7mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:36nC
开关速度:快速开关
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃至+175℃
FN18N2R7C500PSG采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,这使得它非常适合高频开关应用。此外,该器件具备优异的热性能和电气稳定性,能够在极端环境下可靠运行。
其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提高整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效电源转换器。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 小尺寸封装与大功率处理能力相结合,节省PCB空间的同时提供出色的性能。
5. 宽广的工作温度范围,确保在各种环境条件下都能稳定工作。
FN18N2R7C500PSG广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或开关管。
3. 工业电机驱动电路中的功率级元件。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 负载开关和保护电路中的关键组件。
6. 高压大电流应用,如电动车充电设备和不间断电源(UPS)。