时间：2025/10/6 17:17:48
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UVR1V100MDD6是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专门设计用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的影响，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应电压以及其它类型的电气过应力。该器件属于双向 TVS 二极管类别，能够在正负两个方向上对过压进行钳位，因此特别适用于交流信号线路或需要对称保护的应用场景。UVR1V100MDD6采用紧凑的 SMC（DO-214AB）封装，具有较高的功率处理能力，能够承受高达 600W 的峰值脉冲功率（按照 8/20μs 电流波形测试）。其击穿电压标称值为 111V，钳位电压为 170V，在发生瞬态事件时能迅速响应并将电压限制在安全范围内，从而防止后级电路元件损坏。该器件具备低漏电流特性，在正常工作条件下对系统影响极小，同时具有快速响应时间（通常在皮秒级别），确保在瞬态电压上升初期即可启动保护机制。UVR1V100MDD6广泛应用于工业控制、通信设备、电源模块、消费类电子产品和汽车电子等领域，作为关键的过压保护元件。此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，并具备高可靠性，适合自动化贴片生产工艺。
类型：双向TVS二极管
封装：SMC（DO-214AB）
反向关态电压（V_RWM）：100V
击穿电压（V_BR）：最小111V，典型117V，最大123V
钳位电压（V_C）：170V（在Ipp = 3.5A条件下）
峰值脉冲电流（Ipp）：3.5A
峰值脉冲功率（Ppk）：600W（8/20μs波形）
漏电流（IR）：≤1μA @ VRWM = 100V
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
UVR1V100MDD6的核心特性之一是其高效的瞬态电压抑制能力，这得益于其半导体PN结结构在反向击穿区域的雪崩效应。当线路中出现超过其击穿电压的瞬态过压时，器件会迅速从高阻态转变为低阻态，将大部分瞬态能量导通至地，从而将电压钳制在安全水平（170V以内），有效保护后续电路中的集成电路、微处理器、传感器等敏感元件。由于它是双向型TVS，因此可以在正负两个极性上提供对称的过压保护，非常适合用于交流电源线路、差分信号线（如RS-485、CAN总线）以及其他可能经历双向电压波动的场合。该器件的响应时间极快，通常在纳秒甚至皮秒量级，远快于传统的过压保护器件如压敏电阻（MOV）或气体放电管（GDT），使其能够在瞬态电压尚未对系统造成损害之前就完成钳位动作。
另一个显著特点是其高能量吸收能力和良好的热稳定性。600W的峰值脉冲功率容量意味着它能够承受较为严酷的瞬态冲击，比如IEC 61000-4-2规定的ESD事件或IEC 61000-4-5定义的浪涌测试。同时，SMC封装提供了较大的焊盘面积，有利于热量传导，提升散热性能，延长器件寿命。UVR1V100MDD6还具备非常低的待机电流（漏电流低于1μA），在正常运行期间几乎不消耗额外功率，也不会引入明显的信号损耗，这对于低功耗和高精度应用至关重要。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级评估，确保在恶劣环境条件下仍能稳定工作。其无铅且符合RoHS指令的设计也使其适用于现代绿色电子产品制造流程。
UVR1V100MDD6常被用于多种需要高可靠性和高性能过压保护的电子系统中。在工业自动化领域，它可用于保护PLC输入输出端口、传感器接口和现场总线通信线路（如Profibus、Modbus）免受来自电机启停或电磁干扰引起的电压尖峰影响。在通信基础设施中，该TVS二极管可部署于以太网端口、电话线路、DSL调制解调器和基站射频前端，防止雷击感应或电源耦合造成的损坏。消费类电子产品如智能家电、机顶盒和电源适配器也广泛采用此类器件来增强系统的电磁兼容性（EMC）和抗扰度。在汽车电子方面，尽管该型号并非专为AEC-Q101认证设计，但仍可用于非关键性的车载辅助系统，例如车载信息娱乐系统的外部接口、USB充电端口或灯光控制模块，以应对电池反接、负载突降或静电放电等常见故障模式。此外，在开关电源、DC-DC转换器和UPS不间断电源系统中，UVR1V100MDD6可用于输入级保护，防止因电网波动或内部故障导致的电压浪涌传递到下游电路。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大批量组装工艺，提高了整机生产的效率与一致性。
SMBJ100CA
SMCJ100CA
P6KE100CA
