时间：2025/4/29 11:52:28
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SI7210-B-00-IV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻 (RDS(on)) 和较高的效率。其设计旨在满足消费电子、通信设备以及工业应用中对高效能和小尺寸解决方案的需求。
这款 MOSFET 的封装形式为微型的 PowerPAK? SC-70-6 封装，非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2.9A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ Vgs=4.5V
输入电容(Ciss)：105pF
总栅极电荷(Qg)：6nC
开关速度：快速
工作温度范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
SI7210-B-00-IV 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高度集成的小型封装（PowerPAK SC-70-6），节省 PCB 空间。
3. 快速开关性能，适用于高频应用。
4. 增强的热性能，能够在高负载条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 耐雪崩能力，确保在异常情况下具备更高的鲁棒性。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载切换和电源管理。
2. 计算机及外设中的 DC/DC 转换器。
3. 电池供电设备中的电池保护和充电电路。
4. LED 驱动器和小型电机控制。
5. 通信设备中的信号切换和功率放大器驱动。
6. 工业自动化和控制系统中的低电压驱动电路。
SI7220DP, SI7230DP, BSC018N06NS
