AM40N04-20D-T1-PF 是一款由 Advanced Power Technology(简称 APT)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计,具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性等特点。AM40N04-20D-T1-PF 采用 TO-252(DPAK)封装形式,适合用于需要紧凑设计和高功率密度的电源系统。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及各种开关电源设备中。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):40A
最大漏源电压(VDS):20V
导通电阻(RDS(on)):最大 7.5mΩ(在 VGS=10V)
栅极阈值电压(VGS(th)):典型值 2.0V,范围 1.0V~3.0V
最大功耗(PD):80W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
AM40N04-20D-T1-PF 功率 MOSFET 具备多项优异特性,适用于高要求的功率转换应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))可降低导通损耗,提高系统效率。在 VGS=10V 时,RDS(on) 最大为 7.5mΩ,使得该器件在大电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
其次,该器件具有较高的额定电流能力,最大连续漏极电流可达 40A,适用于需要高电流输出的电源系统。同时,漏源电压(VDS)为 20V,使其适用于低压大电流应用,例如同步整流和负载开关等场景。
该 MOSFET 的栅极阈值电压较低,典型值为 2.0V,可在较低的驱动电压下实现快速导通,适用于低压控制电路。同时,其宽泛的栅极电压耐受能力也提高了驱动电路的兼容性。
此外,该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于表面贴装工艺,便于自动化生产。封装尺寸紧凑,有利于节省 PCB 空间,提高整体系统集成度。
AM40N04-20D-T1-PF 还具备良好的热稳定性和短路耐受能力,能够在高负载和瞬态条件下保持稳定运行。其最大功耗为 80W,在高温环境下仍能保持较高的性能表现,适用于工业级和汽车级应用领域。
AM40N04-20D-T1-PF 适用于多种功率电子系统,包括但不限于以下应用场景:
1. **DC-DC 转换器**:用于笔记本电脑电源、服务器电源、电信电源等高效率电源系统中,作为主开关或同步整流器件。
2. **电机驱动与控制**:用于电动工具、电动车、工业电机控制等场合,作为功率开关元件,实现高效的电机控制。
3. **电池管理系统(BMS)**:用于锂电池保护电路、电池均衡电路中,作为充放电开关控制器件。
4. **电源管理模块**:用于电源分配、负载开关、热插拔控制等应用,提供快速开关和低导通损耗。
5. **开关电源(SMPS)**:适用于低电压高电流输出的开关电源系统,如适配器、充电器、电源模块等。
6. **汽车电子**:用于车载电源系统、车载充电器、启停系统等汽车电子控制模块中,提供可靠的功率控制。
Si4406DY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS4410A, NTD4858N