时间：2025/9/2 10:04:26
阅读：22
AM40N04-20D-T1-PF 是一款由 Advanced Power Technology（简称 APT）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性等特点。AM40N04-20D-T1-PF 采用 TO-252（DPAK）封装形式，适合用于需要紧凑设计和高功率密度的电源系统。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及各种开关电源设备中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：40A
最大漏源电压（VDS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 7.5mΩ（在 VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值 2.0V，范围 1.0V~3.0V
最大功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
AM40N04-20D-T1-PF 功率 MOSFET 具备多项优异特性，适用于高要求的功率转换应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 最大为 7.5mΩ，使得该器件在大电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
其次，该器件具有较高的额定电流能力，最大连续漏极电流可达 40A，适用于需要高电流输出的电源系统。同时，漏源电压（VDS）为 20V，使其适用于低压大电流应用，例如同步整流和负载开关等场景。
该 MOSFET 的栅极阈值电压较低，典型值为 2.0V，可在较低的驱动电压下实现快速导通，适用于低压控制电路。同时，其宽泛的栅极电压耐受能力也提高了驱动电路的兼容性。
此外，该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。封装尺寸紧凑，有利于节省 PCB 空间，提高整体系统集成度。
AM40N04-20D-T1-PF 还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在高负载和瞬态条件下保持稳定运行。其最大功耗为 80W，在高温环境下仍能保持较高的性能表现，适用于工业级和汽车级应用领域。
AM40N04-20D-T1-PF 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用场景：
1. **DC-DC 转换器**：用于笔记本电脑电源、服务器电源、电信电源等高效率电源系统中，作为主开关或同步整流器件。
2. **电机驱动与控制**：用于电动工具、电动车、工业电机控制等场合，作为功率开关元件，实现高效的电机控制。
3. **电池管理系统（BMS）**：用于锂电池保护电路、电池均衡电路中，作为充放电开关控制器件。
4. **电源管理模块**：用于电源分配、负载开关、热插拔控制等应用，提供快速开关和低导通损耗。
5. **开关电源（SMPS）**：适用于低电压高电流输出的开关电源系统，如适配器、充电器、电源模块等。
6. **汽车电子**：用于车载电源系统、车载充电器、启停系统等汽车电子控制模块中，提供可靠的功率控制。
Si4406DY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS4410A, NTD4858N
