UVK2W100MPD是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),专为保护敏感电子设备免受瞬态高能量脉冲和静电放电(ESD)的影响而设计。该器件采用高效的封装技术,能够在短时间内吸收高达2000W的峰值脉冲功率,适用于多种需要高可靠性和快速响应保护机制的应用场景。UVK2W100MPD具有低动态电阻、快速响应时间和高浪涌处理能力,使其成为工业控制、通信系统、消费类电子产品和汽车电子等领域中理想的电路保护元件。其单向击穿特性确保在正常工作电压下不会对系统造成干扰,同时在过压事件发生时能迅速钳位电压,防止下游电路受损。此外,该器件符合RoHS标准,适合无铅回流焊工艺,满足现代环保与制造要求。
类型:单向TVS二极管
峰值脉冲功率(PPPM):2000W
击穿电压(VBR):111V 至 123V
钳位电压(VC):170V(在IPP = 11.8A条件下)
反向待机电压(VRWM):100V
最大反向漏电流(IR):5μA(典型值)
峰值脉冲电流(IPP):11.8A
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
封装形式:SMC(DO-214AB)
安装方式:表面贴装(SMD)
极性:单极性
引脚数:2
UVK2W100MPD具备卓越的瞬态电压抑制性能,其核心优势在于能够承受高能量瞬态事件,如雷击感应、电源切换瞬变以及静电放电等。该TVS二极管采用先进的硅PN结技术,在反向击穿状态下呈现稳定的钳位行为,能够在纳秒级时间内响应过压脉冲,有效限制电压上升幅度,从而保护后级集成电路免遭损坏。其2000W的峰值脉冲功率能力意味着即使在极端电气环境下也能提供可靠的防护。
该器件的击穿电压范围设定在111V至123V之间,确保在100V的正常工作电压下保持高阻态,仅通过极低的反向漏电流(典型值5μA),最大限度减少功耗和信号干扰。一旦电压超过阈值,器件迅速进入雪崩击穿状态,将瞬态能量以热的形式耗散,同时将端电压钳制在安全水平(典型钳位电压为170V)。这种非破坏性击穿过程可重复进行数千次,保证长期使用的稳定性与可靠性。
UVK2W100MPD采用SMC(DO-214AB)表面贴装封装,具有良好的散热性能和机械强度,适用于自动化贴片生产线,提升制造效率。该封装还提供了足够的爬电距离和电气隔离,增强了在高压环境下的安全性。此外,器件符合AEC-Q101车规认证要求,可在严苛的温度条件下稳定运行(工作结温达+175°C),因此不仅适用于工业和消费电子领域,也广泛用于车载电源系统和电机驱动模块中的过压保护。
另一个重要特性是其绿色环保属性:器件不含铅(Pb-free),符合RoHS和REACH环保指令,并支持无铅焊接工艺,适应现代电子制造的趋势。总体而言,UVK2W100MPD是一款高性能、高可靠性的瞬态抑制解决方案,适用于对电路保护要求较高的应用场景。
UVK2W100MPD广泛应用于各类需要高能瞬态保护的电子系统中。常见使用场景包括工业自动化控制系统中的I/O接口保护,防止因感性负载开关或电网波动引起的电压尖峰损坏PLC模块或传感器电路。
在通信设备领域,该器件可用于保护以太网端口、RS-485总线、电话线路及其他数据传输接口,抵御雷击感应和静电冲击,确保通信链路的稳定性与连续性。
在消费类电子产品中,例如电视、机顶盒、智能家居控制器等,UVK2W100MPD可用于直流电源输入端的过压防护,避免因适配器故障或插拔瞬间产生的浪涌损坏主板供电单元。
此外,在汽车电子系统中,该TVS二极管可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明驱动电源等部位,提供对电池反接、负载突降(Load Dump)等汽车特有电气现象的有效抑制。由于其具备优良的温度特性和耐久性,非常适合部署在发动机舱附近或高温运行环境中。
新能源领域如太阳能逆变器、充电桩控制板等也常采用此类高功率TVS器件来增强系统的电磁兼容性(EMC)和抗扰度,提高整体安全等级。
P6KE100A