时间：2025/8/8 19:41:06
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MB8117400B-60PJ是一款由富士通（Fujitsu）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该器件以其可靠性和高性能被广泛应用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。MB8117400B-60PJ采用48引脚TSOP封装，具有较小的尺寸和较高的存储密度，适合需要快速数据访问的应用场景。
类型：异步SRAM
容量：1Mb（128K x 8）
电压范围：3.3V
访问时间：60ns
封装形式：48-TSOP
工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：1.5V至3.6V
输入/输出逻辑电平：CMOS兼容
封装尺寸：18.4mm x 12.0mm x 1.0mm
MB8117400B-60PJ是一款高性能SRAM芯片，具备异步工作模式，无需时钟信号即可进行读写操作，适用于需要快速响应和低延迟的系统。该芯片的访问时间为60ns，能够满足高速数据处理的需求。其CMOS输入/输出兼容性确保与多种数字电路无缝连接，降低了设计复杂度。
此外，MB8117400B-60PJ支持低电压数据保持功能，在掉电情况下仍能保留存储数据，有助于在系统断电时保护关键信息。其48-TSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提高了机械稳定性，适用于高振动或便携式应用环境。
该器件在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）能够稳定运行，适合在严苛环境条件下工作的设备，如工业自动化设备、网络交换设备以及测试仪器等。
MB8117400B-60PJ SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取和可靠性的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制器、通信模块、数据采集设备、图像处理单元以及医疗电子设备。其低功耗特性和异步接口使其成为对功耗敏感和需要快速响应的便携设备的理想选择。在工业自动化系统中，该芯片可作为缓存存储器用于临时存储传感器数据或控制指令，提高系统响应速度和运行效率。此外，它也适用于需要长期稳定运行的网络设备和服务器，用于存储临时数据和缓存信息，确保设备高效运行。
CY62148EVLL-60ZE、AS7C31026B-60BAN1B、IS61LV1024-60B4BLI、M5M51008A-60PFP、KM681000B-60
