时间：2025/10/6 15:58:49
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UVK2DR47MED 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造。该器件封装在紧凑的双通道 PowerPAK SO-8 封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率、高密度的电源管理应用。该 MOSFET 设计用于在同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等电路中提供卓越的开关性能和低功耗表现。其双 N 沟道结构允许在半桥或同步整流拓扑中集成上下管，简化了 PCB 布局并减少了元件数量。UVK2DR47MED 在 10V 栅源电压下具有非常低的漏源导通电阻（RDS(on)），确保在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，提升高频工作的可行性。由于采用了先进的硅工艺和封装技术，UVK2DR47MED 具备出色的可靠性与热稳定性，能够在严苛的工作环境中稳定运行。
型号：UVK2DR47MED
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：双 N 沟道功率 MOSFET
封装类型：PowerPAK SO-8 Dual N-Channel
沟道类型：N 沟道（双通道）
漏源电压 VDS：20V
栅源电压 VGS：±12V
连续漏极电流 ID（每通道）：9.7A @ 70°C
脉冲漏极电流 IDM：39A
导通电阻 RDS(on)：4.7mΩ @ VGS = 10V（典型值）
导通电阻 RDS(on)：5.3mΩ @ VGS = 4.5V
阈值电压 VGS(th)：1.0V ~ 1.6V
栅极电荷 Qg（总）：8.5nC @ VGS = 10V
输入电容 Ciss：520pF @ VDS = 10V
输出电容 Coss：190pF
反向恢复时间 trr：10ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
安装类型：表面贴装（SMD）
UVK2DR47MED 采用 Vishay 的先进 TrenchFET 技术，显著降低了导通电阻和寄生电感，提升了器件的整体性能。其超低的 RDS(on) 特性使其在大电流应用中表现出色，有效减少了功率损耗和发热，提高了电源系统的转换效率。该器件的双 N 沟道设计特别适用于同步降压转换器中的上管和下管配置，能够实现紧凑高效的电源解决方案。得益于优化的晶圆制造工艺，该 MOSFET 具有非常低的栅极电荷（Qg），这不仅降低了驱动电路的功耗，还使得器件更适合高频开关应用，如多相 VRM 和 POL（Point-of-Load）转换器。此外，其低输出电容（Coss）和快速反向恢复时间（trr）进一步减少了开关过程中的能量损耗，增强了系统的动态响应能力。
该器件的 PowerPAK SO-8 封装具有优异的热传导性能，通过底部散热焊盘可有效将热量传递至 PCB，从而延长器件寿命并提高可靠性。封装尺寸小巧（约 5mm x 6mm），非常适合空间受限的应用场景。UVK2DR47MED 还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压和电流冲击下保持稳定工作。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于工业、汽车和通信等严苛环境下的应用。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，并通过了 AEC-Q101 认证，适用于汽车级电子系统。总体而言，UVK2DR47MED 凭借其高性能、高可靠性和小尺寸封装，在现代高密度电源设计中具有重要地位。
UVK2DR47MED 广泛应用于需要高效、小型化电源解决方案的场合。典型应用包括同步整流型 DC-DC 降压转换器，特别是在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中作为上下管使用。其低 RDS(on) 和快速开关特性使其成为 POL（负载点）电源的理想选择，能够满足 FPGA、ASIC 和微处理器对低电压大电流供电的需求。此外，该器件也常用于电池供电设备中的电源管理单元，如便携式医疗设备、工业手持终端和无人机电源系统。在电机驱动应用中，UVK2DR47MED 可用于 H 桥或半桥拓扑结构中，驱动小型直流电机或步进电机，实现高效节能的运动控制。其高可靠性也使其适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、ADAS 传感器电源和车身控制模块。其他应用场景还包括热插拔控制器、负载开关、OR-ing 电路以及冗余电源系统中的功率切换元件。由于其优异的热性能和小尺寸封装，该器件特别适合高密度 PCB 布局设计，有助于缩小整体电源模块体积并提升功率密度。
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"SiR144DP-T1-E3",
"AO4803",
"FDMS7680",
"IRLHS6296PbF",
"FDMF6820SD"
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