时间：2025/6/19 19:10:48
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IPD06N03LAG 是一款 N 沣道通场效应晶体管（MOSFET），采用 PDFN2020-8 封装形式。该器件主要应用于消费类电子、工业控制及汽车电子等领域，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低系统功耗并提升效率。
该 MOSFET 适合用作同步整流器、负载开关、DC/DC 转换器以及电机驱动等应用中的关键功率元件。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：190pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPD06N03LAG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.5mΩ，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，栅极电荷较小（7nC），可实现快速开关操作，降低开关损耗。
3. 小型化封装设计（PDFN2020-8），节省 PCB 空间，适用于对空间要求较高的应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种严苛的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
IPD06N03LAG 可广泛应用于以下领域：
1. 各类 DC/DC 转换器，用于提升电源转换效率。
2. 负载开关，在便携式设备中实现高效电源管理。
3. 同步整流器，用于适配器、充电器等产品。
4. 电机驱动，提供高效的功率输出以控制电机运行。
5. 工业和汽车领域的电源管理系统，确保稳定性和可靠性。
IPB060N03L, IPP060N03L
