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GA1206Y332MXCBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:32:00 查看 阅读:10

GA1206Y332MXCBR31G 是一款高性能的模拟开关芯片,属于 GaAs(砷化镓)工艺制造的射频和微波器件系列。该芯片主要用于高频信号切换场景,具有低插入损耗、高隔离度和出色的线性度等特性,适用于通信设备、雷达系统以及测试测量仪器等领域。
  该芯片采用小型化封装设计,能够满足现代电子设备对空间节省的需求,同时其优异的电气性能确保了在复杂电磁环境中的稳定运行。

参数

工作频率范围:DC至40GHz
  插入损耗:≤0.8dB(典型值)
  隔离度:≥35dB(典型值)
  回波损耗:≥20dB
  电源电压:-5V 至 +5V
  静态电流:≤10mA
  封装形式:CSP(芯片级封装)

特性

这款芯片具备卓越的射频性能,在高频段表现出极低的插入损耗和高隔离度,可显著提升系统的信噪比和抗干扰能力。
  此外,它支持双极性供电模式,便于与不同类型的电路兼容。
  其紧凑型封装进一步优化了 PCB 布局设计,减少了寄生效应的影响。
  该器件还具有快速开关速度,适合需要实时信号处理的应用场景。
  最后,其可靠性经过严格测试,能够在恶劣环境下长期稳定工作。

应用

GA1206Y332MXCBR31G 芯片广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基础设施,如基站收发器和中继设备;
  2. 军用及民用雷达系统中的信号控制模块;
  3. 高速数据链路中的信号切换功能;
  4. 现代测试与测量仪器中的多路复用器设计;
  5. 卫星通信终端和其他高频电子系统。

替代型号

GA1206Y332MXCBR32G, GA1208Y332MXCBR31G

GA1206Y332MXCBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-