UVC2G100MPD是一款由UnitedSiC(现已被Qorvo收购)生产的碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高效率、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术,具备优异的开关性能和热稳定性,适用于要求严苛的功率转换系统。UVC2G100MPD属于UnitedSiC的UniCMOS系列,结合了碳化硅材料的优势与优化的封装技术,能够在高温、高压环境下稳定运行,同时降低系统损耗,提升整体能效。
该二极管的最大反向重复电压为1200V,平均正向电流可达10A,采用TO-247封装,便于在高功率密度设计中进行散热管理。其无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)的特性使其在硬开关和软开关拓扑中均表现出色,特别适合与硅基或碳化硅MOSFET/IGBT配合使用,用于减少开关损耗并提高系统效率。此外,UVC2G100MPD具有低正向导通压降(VF),有助于降低导通损耗,进一步提升电源系统的热性能和可靠性。
型号:UVC2G100MPD
类型:碳化硅肖特基二极管
最大反向电压(VRRM):1200V
平均正向电流(IF(AV)):10A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):150A
正向电压降(VF):1.7V(典型值,@ IF = 10A, Tj = 25°C)
反向漏电流(IR):250μA(典型值,@ VR = 1200V, Tj = 25°C)
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
反向恢复时间(trr):0 ns
反向恢复电荷(Qrr):0 C
UVC2G100MPD的核心优势在于其基于碳化硅(SiC)半导体材料所实现的卓越电气性能。传统硅基PIN二极管在高频开关过程中存在显著的反向恢复电荷(Qrr),这不仅增加了开关损耗,还可能引起电压振铃和电磁干扰(EMI)问题。而UVC2G100MPD作为一款肖特基势垒二极管,利用碳化硅宽禁带特性,实现了几乎为零的反向恢复电荷和极短的反向恢复时间,从根本上消除了反向恢复带来的动态损耗,使得该器件非常适合用于高频DC-DC转换器、功率因数校正(PFC)电路以及逆变器等对效率和开关速度要求较高的场合。
该器件具备出色的热稳定性,其最高工作结温可达+175°C,远高于传统硅二极管的+150°C限制,这意味着在高温环境下仍能保持可靠的运行能力,减少了对复杂散热系统的需求,有助于缩小整体系统体积。同时,较低的正向导通压降(VF ≈ 1.7V @ 10A)确保了在大电流条件下依然维持较低的导通损耗,提升了能源转换效率。此外,UVC2G100MPD具有极低的反向漏电流,在常温下仅为250μA左右,尽管随着温度升高会有所增加,但仍处于可接受范围内,保证了在待机或轻载状态下的低功耗表现。
TO-247封装形式提供了良好的机械强度和热传导性能,便于安装在散热器上,适用于工业级高功率应用。该封装还支持三引脚配置,有利于优化PCB布局和驱动回路设计。UVC2G100MPD无需外部缓冲电路即可安全运行于高dV/dt环境,增强了系统的鲁棒性。由于其无掺杂p-n结结构,不存在少数载流子存储效应,因此不会产生拖尾电流,进一步提升了开关品质。总体而言,这款二极管在效率、可靠性和热管理方面均表现出色,是现代高效能电源系统中的理想选择。
UVC2G100MPD广泛应用于各类高性能电力电子系统中,尤其适用于需要高效率和高频率操作的场景。常见应用包括工业级服务器电源、电信整流器、太阳能光伏逆变器、电动汽车车载充电机(OBC)、直流快速充电桩以及工业电机驱动系统中的续流或升压二极管。在图腾柱PFC(Totem-Pole PFC)拓扑中,该器件常被用作高速支路的同步整流元件或主整流元件,凭借其零反向恢复特性有效避免了传统硅二极管带来的交叉导通损耗和EMI问题,从而显著提升PFC级的整体效率,达到98%以上。
在DC-DC变换器中,如LLC谐振转换器或移相全桥拓扑,UVC2G100MPD可作为副边同步整流二极管或原边钳位二极管使用,有效抑制电压尖峰并降低环路损耗。其快速响应能力和低VF特性有助于提高能量传递效率,并减少热积累。在UPS不间断电源和储能系统中,该二极管可用于电池充放电管理电路中的隔离与保护功能,确保系统在切换模式时的平稳运行。
此外,UVC2G100MPD也适用于感应加热、激光电源等高功率脉冲电源设备,其耐高压和抗浪涌能力强,能够承受瞬态过电流冲击(IFSM高达150A),保障系统长期稳定运行。由于其宽温域工作能力,该器件在户外或恶劣环境下的电力装置中也具有明显优势,例如风力发电变流器或轨道交通牵引系统。总之,凡是追求小型化、高效率、高可靠性的现代电力转换系统,UVC2G100MPD都是一个极具竞争力的解决方案。
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"UJC2G100M6S",
"UF3C120100K3S",
"GSFC120100T"
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