类型：UV-EPROM
　　容量：256Kbit (32K × 8)
　　封装形式：28-pin DIP
　　工作电压：+5V ±5%
　　访问时间：250ns
　　编程电压：+12.5V 或 +21V（依据规格书）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装标记：带石英窗口（用于紫外线擦除）
　　输出逻辑电平：TTL兼容
　　功耗（典型）：读取模式约150mW
　　擦除方式：紫外线照射（波长253.7nm，能量≥15W·sec/cm2）
　　数据保持时间：>10年
　　编程耐久性：≥1000次擦写周期

AM27256-25DI具备多项关键特性，使其在传统嵌入式系统和工业控制应用中表现出色。首先，其256Kbit的存储容量以32K字节组织，适合存放中小型固件程序或固定数据表，广泛用于微控制器系统中作为外部程序存储器。其次，该芯片采用CMOS工艺制造，相较于早期NMOS EPROM，在功耗方面有显著优化，尤其在待机或低活动状态下能够有效降低系统整体能耗，适合对功耗敏感的应用场景。
　　该器件支持标准的微处理器接口时序，具备OE#（输出使能）和CE#（片选）控制信号，允许其无缝集成到并行总线架构中，与多种主流微处理器和微控制器兼容。此外，250ns的存取时间确保了较快的数据读取速度，足以满足8位和16位系统总线的操作要求，避免成为系统性能瓶颈。对于需要高可靠性的工业环境，AM27256-25DI设计支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），增强了在极端温度条件下的稳定性与可靠性。
　　另一个重要特性是其紫外线可擦除功能。芯片顶部设有透明石英窗口，允许用户将芯片暴露于紫外线光源下进行批量擦除，通常需要15到20分钟的照射即可完成全部内容清除。这种机制虽然不如现代Flash那样便捷，但在研发调试阶段允许反复修改固件，具有较高的灵活性。同时，该特性也便于版本升级和现场维护。编程过程需专用编程器支持，并施加适当的Vpp电压（+12.5V或+21V），确保数据准确写入。为防止误编程或数据泄露，部分型号可能内置安全熔丝（security fuse），烧断后可阻止读取内部代码，提升知识产权保护能力。
　　AM27256-25DI还具备良好的抗干扰能力和稳定的输出驱动性能，输出电平符合TTL标准，可直接驱动多数逻辑电路。其封装为标准28引脚DIP，便于手工焊接、更换和测试，特别适合小批量生产、教学实验及维修场景。尽管该器件已被更先进的非易失性存储器所取代，但其结构简单、稳定性高、无需复杂驱动协议的特点，仍使其在特定领域保有一席之地。

AM27256-25DI主要用于需要非易失性程序存储的各类电子系统中。一个典型应用是在工业控制系统中作为PLC（可编程逻辑控制器）或工控机的固件存储器，用于保存启动代码、控制逻辑或配置参数。由于这些系统往往运行在恶劣环境中，要求长期稳定性和抗干扰能力，AM27256-25DI的宽温特性和高可靠性正好满足此类需求。
　　在通信设备中，该芯片可用于存储协议栈代码、初始化序列或诊断程序，尤其是在老式调制解调器、网络交换设备或基站模块中较为常见。此外，在消费类电子产品如老式打印机、传真机、音频设备中，它也被用来存放设备的主控程序或字符字库。
　　在教育和科研领域，AM27256-25DI常被用于微机原理、单片机实验和数字系统设计课程的教学实验平台。学生可通过编程器向芯片写入汇编程序，并将其接入实验箱验证执行结果，有助于理解存储器映射、总线操作和机器指令执行过程。
　　另外，该芯片也广泛应用于军事和航空航天领域的老旧设备维护中。由于许多 legacy 系统仍在服役，原厂配套使用的AM27256-25DI成为关键备件之一。尽管新设计不再采用此类UV-EPROM，但在系统延寿、备件替换和故障修复中仍不可或缺。最后，在一些定制化自动化设备、测试仪器和医疗设备中，若原始设计采用了该芯片，则在后续维修或复制时仍需使用相同型号或兼容替代品以确保系统兼容性。

M27256B-25F1
　　TMS27C256BN-25
　　MBM27C256APL-25XNE1
　　Intel 27C256