LNZ9F11VT5G 时间：2025/8/13 16:21:56 阅读：7

LNZ9F11VT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管主要用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电池供电设备等应用。其封装形式为 SOT-223，是一种小型化、适合表面贴装的封装类型，非常适合用于空间受限的设计。该器件设计用于在低电压下工作，提供高效的开关性能和较低的导通电阻。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20 V
　　栅源电压（VGS）：-8 V
　　连续漏极电流（ID）：-1.5 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38 Ω @ VGS = -4.5 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.5 Ω @ VGS = -2.5 V
　　功率耗散：1.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

LNZ9F11VT5G 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，适用于高频开关电路。其 SOT-223 封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 -8 V 至 0 V 之间工作，使得其能够与多种驱动电路兼容。同时，该器件在 -4.5 V 和 -2.5 V 的栅极电压下均能实现较低的 RDS(on)，这表明其在低压驱动条件下也能保持良好的性能。
　　在可靠性方面，LNZ9F11VT5G 具有较高的热稳定性，并能在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作，适合在各种工业和消费类应用中使用。其设计也符合 RoHS 环保标准，适用于对环境要求较高的产品。

应用

LNZ9F11VT5G 主要用于需要高效能、小尺寸封装的电源管理应用。例如，在电池供电设备中，该器件可以用作负载开关，以减少待机功耗并提高系统效率。此外，它也可用于 DC-DC 转换器和同步整流器中，作为主开关或辅助开关，实现高效的电压转换。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该 MOSFET 可用于管理电源路径，确保在不同电源（如电池和 USB）之间进行高效切换。同时，其低导通电阻和高开关速度使其适用于 LED 驱动电路和电机控制应用。
　　工业控制和通信设备中也可使用该器件，用于构建高效电源模块、热插拔控制器以及各种负载开关电路，以提高系统的稳定性和可靠性。