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UUT1E4R7MCL1GS 发布时间 时间:2025/10/7 8:01:28 查看 阅读:4

UUT1E4R7MCL1GS是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制。该器件采用紧凑的PowerPAD?封装,具备优异的热性能和电气性能,适用于对空间要求严格且需要高可靠性保护的电子设备。UUT1E4R7MCL1GS专为低电压、高灵敏度电子元件设计,能够快速响应瞬态过电压事件,将电压钳位至安全水平,从而防止下游电路受损。其主要应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类通信接口的保护电路中。该TVS二极管具有低工作电压、低漏电流和高浪涌承受能力的特点,能够在恶劣电磁环境中稳定工作。此外,该器件符合RoHS指令和无卤素要求,适合现代绿色电子产品制造工艺。由于其高功率密度和快速响应时间,UUT1E4R7MCL1GS在面对IEC 61000-4-2 Level 4级别的ESD冲击时仍能保持出色的保护性能。

参数

类型:单向TVS二极管
  击穿电压(Vbr):5.22V 至 5.8V
  反向工作电压(Vrwm):4.7V
  最大钳位电压(Vc):9.2V @ Ipp = 1.8A
  峰值脉冲功率(Ppk):150W(8/20μs波形)
  峰值脉冲电流(Ipp):1.8A
  漏电流(Ir):最大1μA @ Vrwm
  响应时间:小于1ns
  电容值(Cj):典型值为30pF @ 0V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SMA(DO-214AC)带PowerPAD

特性

UUT1E4R7MCL1GS具备卓越的瞬态电压抑制能力,能够在纳秒级时间内响应高达150W的瞬态脉冲能量,有效保护敏感电子元件免受ESD和EFT等瞬态干扰的影响。其单向二极管结构确保在正常工作条件下仅表现出极低的漏电流(最大1μA),不会对系统功耗造成显著影响。该器件的击穿电压范围设计合理,在4.7V的工作电压下提供足够的裕量以避免误触发,同时保证在过压事件发生时迅速导通并将电压限制在9.2V以下,从而为后级IC提供可靠保护。其典型的结电容为30pF,在高频信号线路中引入的信号失真极小,适用于USB、HDMI、SD卡接口等高速数据传输通道的保护。
  该TVS二极管采用SMA封装并带有底部散热焊盘(PowerPAD),不仅节省PCB空间,还通过增强的热传导路径提高长期运行的稳定性与寿命。这种封装方式允许通过PCB上的热焊盘有效散热,提升功率处理能力和循环耐久性。器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适应严苛的工业与车载环境。此外,UUT1E4R7MCL1GS通过了IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)认证,表明其在实际应用中可抵御高强度静电冲击。所有材料均符合RoHS和无卤要求,支持环保生产工艺,并兼容标准回流焊流程,便于自动化生产集成。

应用

UUT1E4R7MCL1GS广泛应用于各类需要高水平静电防护的电子设备中,尤其适合用于便携式消费类电子产品中的电源线与信号线保护。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB端口、耳机插孔、充电接口及LCD背光电路的过压保护。在这些应用中,用户频繁插拔外设导致接口极易受到人体模型(HBM)静电放电的影响,而该TVS二极管可以迅速泄放高达150W的瞬态能量,防止主控芯片或电源管理单元损坏。
  此外,它也常用于笔记本电脑、数码相机、可穿戴设备以及工业手持终端的数据通信接口保护,例如RS-232、I2C、GPIO等低速控制线路。在汽车电子领域,可用于车身控制模块、信息娱乐系统的辅助电源轨保护。由于其低电容特性,也可部署于模拟信号链前端,保护ADC输入或传感器接口。在智能家居设备如路由器、智能音箱中,该器件同样适用于外部连接器的EMI/ESD防护设计。总之,任何存在瞬态电压风险且工作电压接近4.7V的低压直流电路均可考虑使用UUT1E4R7MCL1GS作为主保护元件。

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UUT1E4R7MCL1GS参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容4.7 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值16 Volts
  • 工作温度范围- 55 C to + 105 C
  • 尺寸5 mm Dia. x 11 mm L
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • 漏泄电流3 uAmps
  • 封装Reel
  • 纹波电流13 mAmps
  • 系列UT
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT