时间：2025/10/7 8:01:28
阅读：44
UUT1E4R7MCL1GS是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制。该器件采用紧凑的PowerPAD?封装，具备优异的热性能和电气性能，适用于对空间要求严格且需要高可靠性保护的电子设备。UUT1E4R7MCL1GS专为低电压、高灵敏度电子元件设计，能够快速响应瞬态过电压事件，将电压钳位至安全水平，从而防止下游电路受损。其主要应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类通信接口的保护电路中。该TVS二极管具有低工作电压、低漏电流和高浪涌承受能力的特点，能够在恶劣电磁环境中稳定工作。此外，该器件符合RoHS指令和无卤素要求，适合现代绿色电子产品制造工艺。由于其高功率密度和快速响应时间，UUT1E4R7MCL1GS在面对IEC 61000-4-2 Level 4级别的ESD冲击时仍能保持出色的保护性能。
类型：单向TVS二极管
击穿电压（Vbr）：5.22V 至 5.8V
反向工作电压（Vrwm）：4.7V
最大钳位电压（Vc）：9.2V @ Ipp = 1.8A
峰值脉冲功率（Ppk）：150W（8/20μs波形）
峰值脉冲电流（Ipp）：1.8A
漏电流（Ir）：最大1μA @ Vrwm
响应时间：小于1ns
电容值（Cj）：典型值为30pF @ 0V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SMA（DO-214AC）带PowerPAD
UUT1E4R7MCL1GS具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达150W的瞬态脉冲能量，有效保护敏感电子元件免受ESD和EFT等瞬态干扰的影响。其单向二极管结构确保在正常工作条件下仅表现出极低的漏电流（最大1μA），不会对系统功耗造成显著影响。该器件的击穿电压范围设计合理，在4.7V的工作电压下提供足够的裕量以避免误触发，同时保证在过压事件发生时迅速导通并将电压限制在9.2V以下，从而为后级IC提供可靠保护。其典型的结电容为30pF，在高频信号线路中引入的信号失真极小，适用于USB、HDMI、SD卡接口等高速数据传输通道的保护。
该TVS二极管采用SMA封装并带有底部散热焊盘（PowerPAD），不仅节省PCB空间，还通过增强的热传导路径提高长期运行的稳定性与寿命。这种封装方式允许通过PCB上的热焊盘有效散热，提升功率处理能力和循环耐久性。器件可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应严苛的工业与车载环境。此外，UUT1E4R7MCL1GS通过了IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）认证，表明其在实际应用中可抵御高强度静电冲击。所有材料均符合RoHS和无卤要求，支持环保生产工艺，并兼容标准回流焊流程，便于自动化生产集成。
UUT1E4R7MCL1GS广泛应用于各类需要高水平静电防护的电子设备中，尤其适合用于便携式消费类电子产品中的电源线与信号线保护。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB端口、耳机插孔、充电接口及LCD背光电路的过压保护。在这些应用中，用户频繁插拔外设导致接口极易受到人体模型（HBM）静电放电的影响，而该TVS二极管可以迅速泄放高达150W的瞬态能量，防止主控芯片或电源管理单元损坏。
此外，它也常用于笔记本电脑、数码相机、可穿戴设备以及工业手持终端的数据通信接口保护，例如RS-232、I2C、GPIO等低速控制线路。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、信息娱乐系统的辅助电源轨保护。由于其低电容特性，也可部署于模拟信号链前端，保护ADC输入或传感器接口。在智能家居设备如路由器、智能音箱中，该器件同样适用于外部连接器的EMI/ESD防护设计。总之，任何存在瞬态电压风险且工作电压接近4.7V的低压直流电路均可考虑使用UUT1E4R7MCL1GS作为主保护元件。
