FSTD3125 时间：2025/8/25 1:17:50 阅读：14

FSTD3125 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高速、双通道、栅极驱动器集成电路，广泛应用于电源管理和功率转换领域，如DC-DC转换器、电机驱动和同步整流系统。该器件专为高效驱动MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计，具有低传播延迟和高输出驱动能力的特点，适用于高频开关环境。

参数

类型：栅极驱动器
　　通道数：2通道
　　电源电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流能力：灌电流和拉电流均为1.5A（典型值）
　　传播延迟：12ns（典型值）
　　上升/下降时间：4ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8引脚 SOIC 或 DFN

特性

FSTD3125 具备多项关键特性，适用于高性能功率转换应用。首先，其双通道栅极驱动结构支持独立控制两个功率开关器件，常用于同步整流和半桥拓扑结构中。其次，器件具备极低的传播延迟（12ns）和快速的上升/下降时间（4ns），使得其适用于高频开关应用，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统效率。
　　此外，FSTD3125 的输入端兼容CMOS/TTL电平，允许与多种控制器或微处理器直接接口，而无需额外的电平转换电路。该器件内部还集成了欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止功率器件在非理想条件下工作，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　在保护方面，FSTD3125 设计有交叉导通保护机制，确保两个输出不会同时导通，避免上下桥臂直通造成的短路风险。同时，该器件具有高耐压能力，输入和输出端可承受高达600V的电压，适用于高压环境下的功率转换应用。
　　最后，FSTD3125 提供多种封装形式，包括8引脚SOIC和DFN，适用于不同的PCB布局需求，并具备良好的热性能，可在恶劣环境中稳定运行。

应用

FSTD3125 主要应用于需要高效、高速驱动功率MOSFET或IGBT的场合，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、工业电源、服务器电源以及电池管理系统（BMS）中的栅极驱动电路。其低延迟和高驱动能力也使其适用于高频谐振转换器和数字电源系统。此外，该器件在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中也有广泛应用。