时间：2025/10/7 22:48:13
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UUS1C100MCZ2GH 是由 Vishay Siliconix 生产的一款表面贴装硅肖特基二极管阵列，采用双阳极共阴极（dual anode common cathode）配置，封装形式为 SOT-23（小型晶体管外形封装），广泛应用于便携式电子设备和高频开关电路中。该器件由两个独立的肖特基势垒二极管组成，共享一个公共阴极，具备低正向电压降和快速开关响应的特点，非常适合用于信号整流、电压钳位、ESD 保护以及逻辑电平转换等场景。由于其采用肖特基技术，与传统的 PN 结二极管相比，具有更低的导通压降和更高的效率，有助于降低功耗并提升系统整体性能。UUS1C100MCZ2GH 的设计符合 RoHS 指令要求，适用于无铅焊接工艺，且在高温环境下仍能保持稳定工作。其小型化封装使其成为高密度 PCB 布局中的理想选择，尤其适合空间受限的应用如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及便携式医疗仪器等。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C 至 +150°C）均可正常运行，确保在各种严苛环境下的长期稳定性。
型号：UUS1C100MCZ2GH
制造商：Vishay Siliconix
封装类型：SOT-23
二极管配置：双阳极共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：30 V
最大直流反向电压（VR）：30 V
峰值脉冲电流（IFSM）：500 mA
最大正向电流（IF）：300 mA
最大正向电压（VF）：470 mV @ IF = 10 mA
最大反向漏电流（IR）：10 μA @ VR = 30 V
结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：350 °C/W
安装方式：表面贴装
UUS1C100MCZ2GH 具备优异的电气性能和高度集成的设计优势，其核心特性之一是采用了肖特基势垒技术，这使得它相较于传统 PN 结二极管拥有更低的正向导通压降，典型值仅为 470 mV（在 10 mA 条件下）。这一特性显著减少了能量损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电或对能效要求较高的系统中。由于其低 VF 特性，即使在微小电流下也能实现高效导通，因此在信号检测、逻辑门控制和电平移位电路中表现出色。此外，该器件具备非常快的反向恢复时间，接近于零，这意味着它可以支持高频开关操作而不会产生明显的开关损耗或振铃现象，从而提升了系统的动态响应能力。
该器件的双阳极共阴极结构允许在同一封装内实现两个独立的功能路径，例如用于双通道信号整流或差分信号处理，节省了 PCB 面积并简化了布局布线。SOT-23 封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程。UUS1C100MCZ2GH 还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，能够在一定程度上抵御外部瞬态干扰，增强系统鲁棒性。其材料符合环保标准，支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品绿色制造的需求。在可靠性方面，该器件经过严格的老化测试和质量控制流程，可在 -55°C 到 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子等多种应用场景。
UUS1C100MCZ2GH 广泛应用于需要小型化、高效率和快速响应的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理电路，作为输入保护二极管或用于防止反向电流流动。其低正向压降特性使其成为低压差电源路径的理想选择，例如在电池与备用电源之间的切换电路中发挥关键作用。在数字逻辑电路中，该器件可用于 I/O 端口的电压钳位和静电放电（ESD）保护，防止因过压或瞬态尖峰导致芯片损坏。此外，它还被广泛用于信号整流和检波电路，特别是在射频前端模块中，用于解调高频信号或进行包络检测。
在通信设备中，UUS1C100MCZ2GH 可作为高速数据线路的保护元件，抑制串扰和噪声干扰，同时不影响信号完整性。其快速响应特性也使其适用于脉冲宽度调制（PWM）驱动电路中的续流路径，帮助释放感性负载（如继电器或电机绕组）断开时产生的反电动势，从而保护主控开关器件。在便携式医疗设备中，如血糖仪、心率监测器等，该器件因其低功耗和高可靠性而被用作传感器接口的保护单元。此外，在工业控制系统中，可用于 PLC 输入模块的信号调理电路，实现对外部传感器信号的整形与隔离。总之，凭借其紧凑的封装、高效的性能和广泛的适用性，UUS1C100MCZ2GH 成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
BAS40-04W, PMEG3030EA, RB520S30, MMBD914
