类型：碳化硅MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（典型值）
　　连续漏极电流（Id）：300A（@25℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装类型：双DIP（双列直插式封装）
　　封装尺寸：148mm x 108mm x 18mm
　　绝缘耐压等级：1200V
　　安装方式：螺钉固定
　　冷却方式：底板散热

UU16LFNP-802 模块采用了 UnitedSiC 独有的 SiC FET 技术，结合了 JFET 和 MOSFET 的优点，实现了极低的导通电阻和优异的开关性能。该模块在高温环境下仍能保持稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。其双DIP封装结构支持双面散热，有效降低了热阻，提升了热管理效率。此外，模块内部集成有反向二极管（体二极管），具备良好的续流能力，适用于复杂的拓扑结构如图腾柱PFC、双向DC-DC转换器等。由于碳化硅材料的宽禁带特性，UU16LFNP-802 能够在更高的频率下工作，从而减小了外围电感和电容的体积，提高了系统的功率密度。模块还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的安全性。
　　在性能方面，UU16LFNP-802 相比传统硅基IGBT模块具有显著优势。其导通损耗和开关损耗均大幅降低，有助于提升整体能效，降低系统温升，从而减少对散热系统的要求，降低整体系统成本。该模块适用于多种拓扑结构，如全桥、半桥、LLC谐振转换器等，广泛用于高功率密度电源系统。此外，该模块支持并联使用，以满足更高电流需求的应用场景。

UU16LFNP-802 主要应用于高功率、高效率的电力电子系统，包括电动汽车充电设备（如直流充电桩）、光伏逆变器、储能变流器（PCS）、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）以及高频开关电源等。其优异的导热性能和双面散热设计，使其特别适用于紧凑型高功率密度电源系统，如数据中心服务器电源、5G基站电源模块等。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的功率控制单元。

CMF1600120D（Cree/Semisouth）、FCH070N650F（Infineon CoolSiC系列）、GS065008U3S（GeneSiC）、Wolfspeed：CAS300M12BM2、Infineon：IMZ120R5HM1xKSA1