H5MS2G62BFR-E3M 时间：2025/9/1 21:31:35 阅读：23

H5MS2G62BFR-E3M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动型低功耗DRAM（LPDRAM）系列，适用于需要高性能和低功耗的便携式电子设备。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有较小的封装尺寸和较高的集成度，非常适合用于移动电话、平板电脑、嵌入式系统等应用。

参数

容量：256MB
　　组织结构：2M x 16
　　电压：1.7V - 3.3V
　　频率：166MHz
　　封装类型：BGA
　　引脚数：54
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

特性

H5MS2G62BFR-E3M 具有低功耗特性，适用于电池供电设备，能够在不同的电压范围内稳定工作，提供灵活的电源管理方案。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不访问数据时降低功耗，延长设备续航时间。其高集成度和小尺寸封装使其非常适合用于空间受限的便携式设备中。此外，该芯片还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在复杂的工作环境中保持稳定性能。
　　这款DRAM芯片的存储容量为256MB，组织结构为2M x 16位，能够提供较大的数据存储空间和较高的数据带宽。其最大频率为166MHz，适用于需要高速数据处理的应用场景。此外，H5MS2G62BFR-E3M 还支持多种工作模式，包括突发模式和页面模式，能够提高数据访问效率，优化系统性能。

应用

H5MS2G62BFR-E3M 主要用于各种便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式媒体播放器、GPS导航设备等。此外，该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块等需要高性能和低功耗存储解决方案的场合。由于其高可靠性和稳定性，H5MS2G62BFR-E3M 也适用于对数据完整性要求较高的应用环境。