时间：2025/12/27 8:45:41
阅读：18
UTVSG35VESPT是一款由ROHM Semiconductor生产的超小型表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用CST3封装（DFN1006-2）。该器件专为高密度、低功耗的便携式电子设备设计，具有极低的正向电压降和快速开关特性，适用于在空间受限且对效率要求较高的应用中进行信号整流和反向保护。该二极管额定最大重复峰值反向电压（VRRM）为30V，最大平均整流电流（IF(AV)）为150mA，非常适合用于电池供电系统、智能手机、可穿戴设备和物联网终端等产品中。
UTVSG35VESPT具有出色的热性能和机械稳定性，其封装结构支持回流焊工艺，符合现代自动化生产流程的要求。该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，表明其不仅适用于消费类电子产品，也可用于汽车电子中的低压电路保护与信号处理。此外，该产品不含铅（Pb），符合RoHS环保指令，支持绿色环保设计理念。由于其优异的电气性能和紧凑的外形尺寸（约1.0mm x 0.6mm x 0.47mm），UTVSG35VESPT在微型化趋势日益明显的电子系统中展现出显著优势。
型号：UTVSG35VESPT
制造商：ROHM Semiconductor
封装/外壳：CST3 (DFN1006-2)
二极管类型：肖特基势垒二极管
最大重复峰值反向电压 VRRM：30V
最大直流阻断电压 VR：30V
最大平均整流电流 IF(AV)：150mA
峰值非重复浪涌电流 IFSM：500mA
最大正向电压降 VF(@ IF=150mA, Ta=25°C)：350mV
最大反向电流 IR(@ VR=30V, Ta=25°C)：0.1μA
工作结温范围 TJ：-40°C ~ +150°C
存储温度范围 Tstg：-55°C ~ +150°C
产品系列：UTVS
安装类型：表面贴装(SMD)
UTVSG35VESPT具备优异的低正向电压特性，在150mA工作电流下典型正向压降仅为350mV，这一性能显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率，尤其适合应用于对能效敏感的便携式设备。其低VF特性还减少了热生成，有助于简化热管理设计，并提高系统的长期可靠性。得益于肖特基势垒结构，该器件几乎无反向恢复时间（trr ≈ 几乎为零），表现出卓越的高速开关能力，使其能够在高频整流和瞬态响应要求高的场合稳定运行。
该器件采用先进的CST3超小型DFN封装，底部带有散热焊盘，能够有效将热量传导至PCB，从而提升功率处理能力和热稳定性。尽管体积微小，但其机械强度经过优化，具备良好的抗振动和热循环性能，适用于严苛环境下的电子系统。此外，CST3封装具有较小的寄生电感和电阻，有利于高频信号完整性，减少电磁干扰（EMI）的影响。
UTVSG35VESPT通过了AEC-Q101认证，意味着它在高温工作寿命、温度循环、高压蒸煮试验等多项可靠性测试中表现达标，适合部署于车载信息娱乐系统、传感器模块或车身控制单元等汽车电子子系统中。同时，该器件采用无卤素材料设计，符合现代绿色制造标准。ROHM在生产工艺中实施严格的品质控制流程，确保每批产品具有一致的电气参数和高良率，满足大批量自动化装配的需求。
UTVSG35VESPT广泛应用于需要高效、小型化电源管理方案的各类电子产品中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的电池充放电路径隔离、USB接口的反向电流保护以及DC-DC转换器中的同步整流辅助元件。在物联网节点和无线传感器网络中，该二极管可用于能量采集电路的防倒灌设计，以最大限度地保存有限的储能电量。
在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，其小尺寸和低功耗特性使其成为理想选择，有助于缩小整体PCB面积并延长电池续航时间。此外，该器件也适用于便携式医疗设备、TWS耳机充电仓管理和小型LED照明驱动电路中的整流与保护功能。
在汽车电子领域，UTVSG35VESPT可用于摄像头模组、车内照明控制、BCM（车身控制模块）中的低电压信号整流和ESD防护电路。由于其通过AEC-Q101认证，工程师可在车载环境下放心使用该器件进行信号调理和电源切换设计，确保系统在宽温范围内的稳定运行。工业控制模块、智能家居控制器等对可靠性和空间布局有较高要求的应用场景也是其重要应用方向。
RB054L-40
