型号：UTT75P03
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-75A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-240A
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：13mΩ（@VGS=-4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.2V ~ -2.2V
　　输入电容（Ciss）：4500pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：1900pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　二极管正向电压（VSD）：-1.2V（@IS=75A）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（D-PAK）

UTT75P03采用先进的沟槽型MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。该器件在VGS=-10V和VGS=-4.5V条件下均表现出极低的导通电阻，分别为10.5mΩ和13mΩ，这使得它在低电压、大电流应用中具有出色的能效表现。其最大漏源电压为-30V，能够满足大多数12V或24V电源系统的耐压需求，同时具备足够的安全裕量。器件的连续漏极电流高达-75A，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，适合用于高功率负载开关或并联使用以分担电流。
　　UTT75P03内置的体二极管具有快速反向恢复特性（trr=38ns），有效降低了在开关过程中因反向恢复引起的能量损耗和电压尖峰，提升了系统的电磁兼容性和稳定性。该器件支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），增强了与不同驱动电路的兼容性。其阈值电压范围为-1.2V至-2.2V，确保在低控制信号电压下也能可靠开启，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。此外，器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在高温或低温环境中稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
　　TO-252（D-PAK）封装不仅提供了良好的电气连接，还具备优良的散热能力，可通过PCB上的铜箔或散热焊盘将热量迅速传导出去，避免器件因过热而损坏。该封装形式符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。UTT75P03在设计上充分考虑了热应力和机械应力的影响，具备较高的抗冲击和抗振动能力，适合在复杂工况下长期运行。

UTT75P03广泛应用于各类需要高效、大电流开关控制的电子系统中。在电源管理系统中，常用于同步降压转换器的高端或低端开关，尤其是在采用P沟道作为高端开关的架构中，能够简化驱动电路设计，降低系统成本。在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件可作为电池保护电路中的充放电控制开关，实现对过流、短路和反接情况的快速响应与切断。
　　在热插拔控制器中，UTT75P03可用于实现平滑的电源接入与断开，防止浪涌电流对系统造成冲击，保护后级电路安全。其高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于大电流负载开关，例如电机驱动、LED驱动电源和DC-DC模块中的功率通断控制。在逆变器和UPS系统中，该器件可用于直流侧的功率切换，配合其他元件实现能量流向的精确控制。
　　此外，UTT75P03也适用于工业控制设备、通信电源、服务器电源模块以及车载电子系统等对可靠性和效率要求较高的领域。由于其具备良好的瞬态响应能力和热稳定性，能够在频繁开关操作中保持性能一致性，因此在高频率开关电源设计中也具有重要应用价值。对于需要冗余电源切换或多路电源选择的系统，UTT75P03可作为理想的选择开关元件，实现无缝电源切换功能。

UT75P03W-AU-R
　　AOZ7516AP