时间：2025/5/23 11:22:20
阅读：4
FN21X181K500PXG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适用于多种工业和消费电子领域。
型号：FN21X181K500PXG
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(V_DS)：1800V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：50A
脉冲漏极电流(I_PULSE)：100A
导通电阻(R_DS(on))：0.05Ω
总功耗(P_TOT)：300W
工作结温范围(T_J)：-55°C 至 +175°C
FN21X181K500PXG具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（1800V），适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻（0.05Ω），降低导通损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，能够支持高频开关应用。
4. 强大的电流处理能力（50A连续，100A脉冲），满足大功率需求。
5. 宽温度范围（-55°C至+175°C），适应恶劣的工作条件。
6. 具备优异的热稳定性和可靠性，适用于长时间运行的应用场景。
7. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动和控制，包括家用电器和工业设备中的电机控制。
3. 逆变器系统，例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 能量存储系统和电池管理。
5. 各种需要高压开关和功率转换的工业和消费类电子产品。
FN21X181K450PXG, IRFP260N, STP100NF18
