类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：70A @ 25°C
　　连续脉冲漏极电流（Idm）：280A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ @ Vgs=10V, Id=35A
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ @ Vgs=4.5V, Id=35A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：6800pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：950pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220/TO-252/DPAK
　　极性：增强型

UTT70N06采用先进的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为10.5mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中能够有效降低发热，减少散热设计的复杂度。此外，其低Rds(on)特性也使得它非常适合用于并联配置，以进一步提升系统的电流处理能力而不显著增加热负担。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，得益于其优化的栅极结构和较低的寄生电容。输入电容Ciss为6800pF，输出电容Coss为950pF，在高频开关应用如同步整流、半桥/全桥拓扑中表现出色。较低的电容值意味着驱动电路所需的能量更少，可以使用较小的驱动芯片或简化栅极驱动设计，从而降低整体成本。同时，其反向恢复时间trr仅为30ns，配合体二极管的快速响应能力，能够在硬开关条件下减少开关损耗，避免因反向恢复电荷积累导致的电压尖峰问题。
　　热稳定性方面，UTT70N06支持高达+175°C的最大结温，并采用高导热材料封装，确保在高温环境下仍能可靠运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。器件内部结构经过优化，具有良好的电流分布均匀性和抗热失控能力，即使在长时间满载运行下也能保持性能稳定。
　　在可靠性设计上，UTT70N06具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定的重复性能量冲击，增强了在异常工况下的鲁棒性。其栅氧层经过严格工艺控制，可耐受±20V的栅源电压，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造要求。

UTT70N06广泛应用于各类中高功率直流开关和电源转换系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在同步整流拓扑中作为主开关或整流元件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率。在DC-DC降压或升压变换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，适用于服务器电源、通信电源模块及车载电源系统等对效率和体积有严格要求的应用场景。
　　在电机驱动领域，UTT70N06常被用于H桥电路中的功率开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转与调速。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够在短时间内提供大电流输出，满足电机启动或堵转时的瞬态需求。此外，其良好的热管理性能也有助于延长电机驱动板的使用寿命。
　　该器件还适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，尤其是在电动工具、电动自行车和储能系统中，用于实现电池组的通断控制与保护功能。其60V的耐压等级正好覆盖了12V、24V和48V系统的需求，具备良好的通用性。
　　其他应用还包括LED恒流驱动电源、逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。由于其封装形式多样（如TO-220、TO-252），便于安装于不同的散热结构中，既可用于通孔焊接也可用于表面贴装工艺，因此在多种电路板设计中都具有很高的灵活性和适配性。

UTD70N06
　　FQP70N06
　　IRF70N06
　　STP70N06F4
　　IPB06N06N