型号：UTT6NP10G-S08-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：6A（@TC=25℃）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：24A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V（@VDS=VGS, ID=250μA）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ（@VGS=10V, ID=3A）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤10mΩ（@VGS=4.5V, ID=3A）
　　输入电容（Ciss）：约1200pF（@VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约280pF
　　反向传输电容（Crss）：约45pF
　　栅极电荷（Qg）：约16nC（@VDS=80V, ID=6A, VGS=10V）
　　功耗（PD）：2.5W（@TC=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8（Power Package）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UTT6NP10G-S08-R采用UTC先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具备极低的导通电阻，显著降低了在大电流工作条件下的导通损耗，从而提升了电源系统的整体效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时可低至7.5mΩ，在VGS=4.5V时仍保持在10mΩ以下，说明其在低压驱动条件下也能有效工作，兼容3.3V或5V逻辑控制电路，适用于宽范围的栅极驱动应用场景。这种低阈值与低导通电阻的结合，使得器件在轻载和重载工况下均能维持高效运行。
　　该MOSFET具有优化的栅极电荷特性，Qg典型值为16nC，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用中的能效表现。同时，较低的输入电容和反向传输电容（Crss）有效抑制了米勒效应，降低了因寄生电容引起的误触发风险，提高了系统在高dV/dt环境下的稳定性。这对于同步整流拓扑或半桥/全桥电路尤为重要，能够确保快速、可靠的开关切换。
　　UTT6NP10G-S08-R具备出色的热性能，其SOP-8 Power Package封装设计优化了散热路径，使芯片结到外壳的热阻（RθJC）较低，能够在有限的PCB散热条件下持续稳定工作。器件的最大工作结温可达150℃，并支持宽泛的工作温度范围，适应严苛的工业环境。此外，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保长期使用的稳定性与安全性。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不如专用肖特基二极管，但在非连续导通模式（DCM）或续流阶段仍可提供可靠通路，减少了对外部续流二极管的依赖，简化了电路设计。总体而言，UTT6NP10G-S08-R在性能、封装、成本和可靠性方面达到了良好平衡，是中小功率电源系统中理想的功率开关选择。

UTT6NP10G-S08-R广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和小型化设计的场合。常见应用包括同步整流型DC-DC转换器，如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构，用于笔记本电脑、平板电源适配器、USB-PD充电器等便携式设备的电压调节模块。其低导通电阻和快速开关特性可显著降低转换损耗，提高电源转换效率，满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准要求。
　　在电池供电系统中，该器件可用作负载开关或电源路径控制器，实现对不同功能模块的上电时序管理与电流隔离，防止浪涌电流损坏后级电路。此外，在电机驱动电路中，UTT6NP10G-S08-R可用于H桥结构中的低端或高端开关，驱动直流有刷电机或步进电机，适用于智能家居、电动工具和小型机器人等应用。
　　由于其具备良好的抗噪能力和热稳定性，该MOSFET也常用于LED恒流驱动电路，作为开关调节元件，配合电感和控制器实现高效的LED调光与亮度控制。在通信设备的板级电源管理中，UTT6NP10G-S08-R可用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU或FPGA提供稳定供电。此外，工业控制模块、PLC输入输出接口、继电器替代方案中也可见其身影，凭借SMD封装优势，便于自动化贴片生产，提升制造效率。

SISS10DN, AON6260, FDS6680A, IPB019N10N3, CSD17579Q5