型号：UTT6N10ZL-AA3-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：24A
　　导通电阻（RDS(on)）：185mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：720pF
　　输出电容（Coss）：290pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　最大结温（Tj）：150°C
　　封装形式：DFN5x6
　　安装类型：表面贴装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅源电压（VGS）：-8V 至 +7V
　　开关速度：纳秒级
　　是否符合RoHS：是

UTT6N10ZL-AA3-R的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料的先进物理特性，相较于传统硅基MOSFET，它在高频开关应用中表现出显著优越的性能。首先，该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）乘积（RDS(on) × Qg），这一关键品质因数（FoM）的优化意味着在相同电压和电流条件下，器件的导通损耗和驱动损耗均大幅降低。其RDS(on)仅为185mΩ，在100V耐压等级的器件中处于领先水平，有助于提高系统效率并减少散热需求。其次，由于氮化镓材料的宽禁带特性，UTT6N10ZL-A3-R具备更高的临界击穿电场强度，允许器件在更小的芯片面积上实现更高的耐压能力，从而减小寄生电容，提升开关速度。其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）分别仅为720pF和290pF，使得在高频工作时所需的驱动能量更少，开关过程中的充放电损耗显著下降。
　　此外，UTT6N10ZL-AA3-R作为增强型器件，具备“常关”特性，即在栅极电压为零时器件处于截止状态，这极大提升了系统的安全性与可靠性，避免了在启动或控制信号丢失时发生直通短路的风险。该特性使得其驱动电路可以采用与标准硅MOSFET兼容的驱动IC，无需复杂的负压关断电路或特殊驱动电源，简化了系统设计流程，降低了开发难度和BOM成本。同时，该器件的反向恢复电荷（Qrr）几乎为零，因为其体二极管为肖特基势垒结构而非PN结，因此在硬开关或同步整流应用中不会产生明显的反向恢复电流，有效减少了电磁干扰（EMI）和开关节点的电压振铃现象，提高了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在封装方面，DFN5x6封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过底部散热焊盘提供了良好的热传导路径，有利于热量从芯片传递至PCB，提升散热效率。该封装支持自动化贴片生产，适用于大规模制造。此外，器件具备优异的抗雪崩能力和高dv/dt耐受性，能够在瞬态过压和快速电压变化的恶劣工况下稳定运行。综合来看，UTT6N10ZL-AA3-R凭借其高效率、高速开关、低损耗、易驱动和高可靠性等多重优势，成为现代高密度电源系统中的理想选择。

UTT6N10ZL-AA3-R广泛应用于对效率、功率密度和开关频率要求较高的电力电子系统中。其典型应用包括但不限于：高频DC-DC转换器，如用于服务器、通信设备和FPGA供电的非隔离式降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）拓扑；在这些应用中，该器件的低RDS(on)和快速开关能力可显著提升转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。此外，它也适用于AC-DC电源适配器和充电器，特别是在追求小型化和高能效的快充设计中，例如笔记本电脑、手机和电动工具的PD快充方案，利用其高频工作能力可大幅减小磁性元件和电容的体积，从而实现更紧凑的电源设计。
　　在工业电源领域，UTT6N10ZL-AA3-R可用于PLC电源模块、工业电机驱动的辅助电源以及LED驱动电源，提供稳定的直流输出。其高可靠性与宽温度工作范围使其适应严苛的工业环境。在电信基础设施中，该器件可用于48V中间母线转换器（Intermediate Bus Converter, IBC）或点负载转换器（POL），满足5G基站、光模块等设备对高效、低噪声电源的需求。此外，该器件还可用于无线充电发射端、太阳能微逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电路以及高密度UPS系统。得益于其零反向恢复特性，UTT6N10ZL-AA3-R在图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路中表现出色，能够有效提升PFC级的整体效率，减少热管理负担，是构建高效率、高功率密度电源系统的优选器件之一。

UTT6N045K-T1-G
　　UTT4N80K-T1-G
　　EPC2045
　　GS-065-100-1-L