晶体管类型：NPN BJT
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流：150 mA
　　最大集电极-发射极电压：50 V
　　最大基极电流：20 mA
　　最大功耗：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益带宽（fT）：250 MHz
　　噪声系数（NF）：1.0 dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）

SA23003ATWD具有多个关键特性，使其在高频放大应用中表现出色。首先，它的过渡频率（fT）高达250 MHz，确保在高频下仍能保持良好的增益性能，适合用于射频前端放大器和中频放大器。其次，该晶体管的噪声系数（NF）典型值为1.0 dB，具有极低的噪声性能，这对于接收器前端和需要高信号完整性的应用至关重要。
　　此外，SA23003ATWD的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级可提供110至800的增益值，适用于各种放大需求。该晶体管的最大集电极电流为150 mA，最大集电极-发射极电压为50 V，具备良好的耐压能力，适用于中功率放大应用。
　　其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装工艺，适用于现代电子设备的小型化设计。SA23003ATWD的工作温度范围宽，最大结温可达150°C，适用于工业级和部分军用级环境。

SA23003ATWD主要应用于射频和高频电子系统中，例如无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）、射频功率放大器、中频放大器和混频器等。由于其低噪声和高增益特性，它广泛用于AM/FM接收器、无线局域网（WLAN）、蓝牙模块和射频识别（RFID）系统。
　　在射频前端设计中，SA23003ATWD可以作为第一级放大器，用于增强微弱信号，提高系统灵敏度。在工业控制和测量设备中，它可用于高频信号的放大和处理。此外，该晶体管也适用于消费类电子产品，如智能音箱、物联网（IoT）设备和便携式通信设备，以实现高效、低噪声的信号传输。

BC847 NPN, 2N3904, BFQ54, BFQ19