时间：2025/12/27 8:23:23
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UTT60N10ML-S08-R是一款由United Silicon Technology（简称UTT）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率、高电流和低导通电阻应用设计。该器件适用于多种电源管理场景，特别是在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及电池管理系统中表现出色。其100V的漏源击穿电压使其能够应对较高的工作电压环境，同时具备良好的热稳定性和可靠性。UTT60N10ML-S08-R封装形式为SOP-8（表面贴装），带有暴露焊盘，有助于提升散热性能，适合自动化贴片生产流程。该器件符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证，适用于对环保标准有严格要求的应用场合。得益于优化的晶圆工艺和封装设计，该MOSFET在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提高系统整体能效。此外，该型号通常标注有‘-R’后缀，表示其为卷带包装（Tape and Reel），便于自动贴片机使用，适合大规模量产应用。
作为一款中压MOSFET，UTT60N10ML-S08-R在竞争激烈的功率器件市场中定位明确，主要面向消费类电子、工业控制和通信电源等领域。其设计兼顾了成本效益与性能表现，是许多中等功率电源拓扑结构中的理想选择。制造商United Silicon Technology致力于提供高性价比的半导体解决方案，因此该产品在保证性能的同时也具备较强的市场竞争力。
型号：UTT60N10ML-S08-R
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）@25℃：60 A
脉冲漏极电流（IDM）：240 A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤8.8 mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤11 mΩ
阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
输入电容（Ciss）：约 3300 pF @ VDS=50V, VGS=0V
输出电容（Coss）：约 900 pF
反向恢复时间（trr）：典型值 35 ns
二极管正向电压（VSD）：-1.4 V
最大功耗（PD）：约 125 W @ TC=25℃
工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOP-8（含EP裸焊盘）
UTT60N10ML-S08-R采用了先进的沟槽式场效应晶体管（Trench MOS）工艺技术，这种结构能够在单位面积内实现更高的沟道密度，从而显著降低导通电阻（RDS(on)）。低RDS(on)意味着在大电流工作条件下，器件的导通损耗更小，发热量更低，进而提升了整个系统的能量转换效率。尤其是在DC-DC降压变换器或同步整流电路中，这种优势尤为明显。该器件在VGS=10V时的RDS(on)典型值仅为8.8mΩ，在4.5V驱动条件下也能保持在11mΩ以下，表明其具有良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平的控制器输出，无需额外的电平转换或驱动电路即可直接驱动，简化了系统设计。
该MOSFET具备优异的开关特性，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这有助于减少栅极驱动功耗并加快开关速度。同时，其反向恢复时间（trr）较短，降低了体二极管在反向恢复过程中的能量损耗，减少了电磁干扰（EMI）和开关节点振铃现象，提高了系统稳定性。这对于高频开关电源尤为重要，可以支持更高的开关频率，从而减小外围电感和电容的尺寸，实现电源模块的小型化设计。
从热管理角度看，SOP-8 EP（Exposed Pad）封装不仅节省空间，还通过底部裸露焊盘将热量高效传导至PCB，增强了散热能力。只要PCB布局合理（如设置足够的铜箔面积和过孔），即可有效控制结温上升，确保器件长期稳定运行。此外，该器件具有良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。内置的快速体二极管也可用于续流或防止反向电流冲击，适用于桥式电路或电机驱动中的自由轮转路径需求。综上所述，UTT60N10ML-S08-R在导通性能、开关速度、热管理和可靠性方面实现了良好平衡，是一款适用于现代高效电源系统的优选功率MOSFET。
UTT60N10ML-S08-R广泛应用于各类需要高效能、大电流切换能力的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常被用作主开关管或同步整流管，尤其适用于笔记本适配器、手机充电器、LED驱动电源等中等功率电源产品。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升电源效率，满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准的要求。在DC-DC转换器拓扑中，如Buck、Boost或Buck-Boost电路，该器件可作为主功率开关，适用于服务器电源、通信设备电源板及工业控制电源模块。
在电机驱动应用中，UTT60N10ML-S08-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制，常见于打印机、扫描仪、家用电器（如风扇、吸尘器）等设备中。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了在持续负载下仍能可靠运行。
此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，用于隔离电池组与负载或充电器之间的连接，保障系统安全。在光伏逆变器、UPS不间断电源和电动工具等对功率密度和效率要求较高的场合，该MOSFET同样表现出色。得益于其SOP-8表面贴装封装，非常适合自动化生产，有利于提高生产效率并降低制造成本，因此在消费类电子产品的大批量制造中备受青睐。
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"FQP60N10L",
"STP60NF10",
"IRFZ44NS",
"AP60N10L"
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