时间：2025/5/23 17:13:24
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FDS5680是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于多种开关和功率管理应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，可有效减少功率损耗并提高系统效率。
其出色的开关特性和耐压性能使其成为消费电子、工业控制以及汽车电子等领域中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
栅极阈值电压：2.1V
功耗：78W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDS5680具有低导通电阻，能够显著降低传导损耗，从而提升整体效率。同时它具备快速的开关速度，可以适应高频操作环境。
此外，该器件还拥有较强的雪崩能量承受能力和热稳定性，确保在恶劣条件下依然可靠运行。
其小型化的TO-220封装有助于简化PCB布局设计，同时提供良好的散热性能。
FDS5680广泛应用于直流电机驱动、开关电源适配器、电池充电保护电路、LED照明驱动以及各种工业控制场景中。在这些应用里，它可以作为高效能的开关元件来实现负载切换或者调制功能。
由于其高电流处理能力与稳健的设计结构，也特别适合于需要长时间稳定工作的场合，例如家电设备中的变频控制器部分或电动汽车辅助系统的功率转换模块等。
IRF540N
STP16NF06L
FDP5500
