类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：57A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：228A
　　导通电阻(RDS(on))：14.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　栅源阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：47nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：2280pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-252

UTT60N06具备优异的动态与静态电气性能，其低导通电阻特性显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了电源系统的整体能效。该器件采用了优化的硅片设计，在保证低RDS(on)的同时，也实现了合理的栅极电荷（Qg）水平，使得在高频开关应用中能够有效减少驱动损耗和开关切换时间，提升了电路响应速度与稳定性。此外，UTT60N06具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性，适用于负载突变或电感放电等严苛环境。
　　其栅源阈值电压范围适中，兼容常见的逻辑电平驱动信号，可直接由微控制器或专用驱动IC进行控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。器件内部结构经过优化，具备良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能输出。同时，UTT60N06拥有较低的输出电容和输入电容，有助于减少高频工作时的无功功率消耗，并降低电磁干扰（EMI）风险，满足多数电磁兼容性要求。
　　该MOSFET还具备快速的反向恢复特性，尤其在同步整流或桥式电路中表现优异，能有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和振荡现象，提高系统可靠性。其封装形式支持通孔或表面贴装安装方式，适应多种PCB布局需求，且具备良好的机械强度与长期可靠性。综合来看，UTT60N06是一款兼顾高性能、高可靠性和成本效益的理想选择，适合对效率和散热有较高要求的应用场景。

UTT60N06广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，如开关模式电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC降压或升压变换器，尤其是在笔记本电脑、显示器、路由器等消费电子产品供电模块中发挥关键作用。它也常用于电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器以及小型电机驱动电路中，作为主开关管或同步整流管使用，提供高效的能量转换路径。
　　在工业控制领域，UTT60N06可用于PLC模块、继电器驱动、电磁阀控制等需要快速响应和高耐久性的场合。此外，该器件还可应用于LED照明驱动电源、太阳能充电控制器、UPS不间断电源等绿色能源设备中，帮助实现节能降耗目标。其高电流承载能力和良好热性能使其特别适合紧凑型高密度电源设计，能够在有限空间内实现强劲的功率输出。由于其具备较强的抗浪涌能力，也可用于汽车电子辅助电源系统或车载充电装置中，在非极端温度条件下稳定运行。总之，UTT60N06凭借其全面的性能优势，已成为现代电力电子系统中不可或缺的核心组件之一。

UTT60N06L
　　AP60N06GP-HF
　　SI4410DY-T1-E3
　　FDS6680A
　　IRFZ44N