型号：UTT50P04G-SO8-R
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装形式：SO-8
　　额定电压（VDS）：-40V
　　连续漏极电流（ID）：-50A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-160A
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：3.2mΩ @ VGS = -10V；4.0mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：3300pF @ VDS=20V
　　输出电容（Coss）：1100pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间（trr）：未内置体二极管快速恢复功能
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻（RθJC）：约1.5°C/W
　　极性：源极接高电位，漏极接低电位时正常导通
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UTT50P04G-SO8-R采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，显著降低了导通电阻RDS(ON)，从而有效减少功率损耗并提升系统整体效率。其超低的导通电阻在同类P沟道器件中处于领先水平，特别适合大电流应用场景下的能量传输与分配。器件内部结构经过优化设计，具备优异的载流子迁移特性和热传导性能，确保在长时间高负载运行条件下仍能保持稳定的电气参数表现。该MOSFET支持宽范围的栅源驱动电压，典型驱动电压为-10V，同时在-4.5V下也能实现较低的导通电阻，兼容多种逻辑电平控制信号，增强了其在不同控制系统中的适应性。此外，其SO-8封装不仅节省PCB空间，还通过外露焊盘增强了散热能力，提高了器件在高温环境下的可靠性。器件具备较强的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力，可在突发短路或瞬态过流情况下维持一定时间的安全运行。内置的体二极管具有一定的反向恢复特性，虽不适用于高频软开关拓扑，但在常规整流与续流场景中可提供基本保护功能。该产品符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，适合现代电子产品的环保需求。生产过程中严格执行质量管理体系，确保批次一致性与长期供货稳定性。
　　值得一提的是，UTT50P04G-SO8-R在开关速度方面进行了优化，具有较快的开启与关断响应时间，减少了开关过程中的交越损耗，有助于提高开关电源的工作频率与动态响应能力。其输入电容和输出电容数值适中，有利于简化驱动电路设计，降低对外部驱动芯片的要求。在实际应用中，搭配适当的栅极电阻可进一步调节开关速度与EMI表现之间的平衡。由于是P沟道器件，其在高端开关应用中无需额外的自举电路或电荷泵，简化了电源架构设计，尤其适用于电池供电系统或低压直流变换器中作为主控开关使用。综合来看，该器件在性能、可靠性与成本之间取得了良好平衡，是中高功率P沟道MOSFET应用的理想选择之一。

UTT50P04G-SO8-R广泛应用于各类需要高效能、大电流控制的电源管理系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在多相供电架构中作为上管或下管使用，利用其低导通电阻减少传导损耗，提高转换效率。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电池充放电管理模块中，该器件可用于电池隔离开关或反向电流阻断功能，保障系统安全。此外，它也适用于各类负载开关电路，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机与上电时序管理。在电机驱动领域，尤其是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，UTT50P04G-SO8-R可作为高端侧开关元件，配合N沟道MOSFET完成正反转控制。工业控制设备中的继电器替代方案（固态开关）、热插拔控制器、USB电源开关及PoE受电设备中也能见到其身影。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，因此在通信基站电源模块、服务器电源单元及LED驱动电源中也有广泛应用。在汽车电子辅助系统中，如车载信息娱乐系统电源管理或车身控制模块中，只要工作电压不超过-40V，该器件同样具备应用潜力。总之，凡涉及低压大电流开关控制、追求高效率与小型化的场景，UTT50P04G-SO8-R均是一个值得考虑的技术选项。

AOZ50P04G；SI4401DY-T1-E3；FDS6680A；IRF7473PBF；DMG2307L