型号：UTT50N03L
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ @ Vgs=10V, Id=25A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤6.0mΩ @ Vgs=4.5V, Id=25A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约2800pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　输出电容（Coss）：约950pF @ Vds=15V, Vgs=0V
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　封装形式：TO-220 / TO-252

UTT50N03L采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下可低至4.5mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景。低Rds(on)意味着更高的能量转换效率和更少的热量产生，有助于简化散热设计并提升系统整体可靠性。同时，该器件在Vgs=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（≤6.0mΩ），说明其具备良好的低电压驱动能力，适合用于由3.3V或5V逻辑电平直接驱动的控制系统，无需额外的电平转换或驱动电路，从而降低了系统成本和复杂度。
　　该MOSFET具有较快的开关速度，得益于其优化的栅极结构和较低的寄生电容（如Ciss和Coss），使得其在高频开关应用中表现出色。例如，在DC-DC降压变换器或同步整流电路中，快速的开关响应可以减少开关过渡时间，进而降低开关损耗，提高电源效率。此外，其反向恢复时间较短（约25ns），减少了体二极管反向恢复过程中引起的电流尖峰和电磁干扰，有利于提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　UTT50N03L还具备优良的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-55℃ ~ +150℃），确保其在高温环境下仍能安全运行。其高达200W的功率耗散能力配合标准TO-220封装，可通过外接散热片进一步提升散热效果，满足持续高负载工况的需求。器件内部还集成了多种保护机制，包括过温保护、过流耐受能力以及较强的ESD抗扰度，提升了在实际应用中的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保要求，适用于现代绿色电子产品设计。

UTT50N03L因其优异的电气性能和高性价比，广泛应用于多个领域的功率开关场景。在电源管理系统中，它常用于同步整流型DC-DC转换器，特别是在低压大电流输出的 buck 转换器中作为下管或上管使用，能够显著提高转换效率并降低温升。在便携式设备如笔记本电脑、移动电源、充电器等产品中，该器件可用于电池充放电控制回路，实现高效的能量传输与管理。
　　在电机驱动领域，UTT50N03L可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为功率开关元件控制电机正反转及调速。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少驱动损耗，提升电机响应速度和运行平稳性。此外，在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于恒流控制电路或PWM调光开关，确保LED光源稳定发光且高效节能。
　　工业控制设备中也常见其身影，例如PLC模块、继电器替代电路、电源分配单元等，利用其高可靠性与长寿命优势替代传统机械开关，实现无触点控制。在汽车电子系统中，UTT50N03L可用于车载电源模块、车灯控制、风扇驱动等12V低压系统中，其宽温工作范围和抗干扰能力强的特点特别适合严苛的车载环境。此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，作为核心开关元件发挥关键作用。

APT50N03LLCR
　　STP50N03LT4
　　FQP50N03L
　　IRLR8726
　　AOZ50N03L