型号：UTT4N10G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.07Ω @ VGS=10V；最大值0.085Ω @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：典型值520pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：典型值140pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　反向恢复时间(trr)：38ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252(DPAK)

UTT4N10G-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，这种结构通过在硅片表面形成垂直沟道来显著提升单位面积内的载流子迁移率，从而实现更低的导通电阻和更高的电流密度。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为0.085Ω（最大值），这意味着在实际应用中可以大幅减少导通状态下的功率损耗，尤其适用于对能效要求较高的电源转换系统。其低RDS(on)特性还能降低发热，有助于简化散热设计，甚至在某些轻负载应用中可省去额外的散热片，进一步缩小整机体积。
　　该MOSFET具备良好的开关性能，输入电容Ciss典型值为520pF，在高频开关应用如DC-DC变换器中表现出优异的响应速度与驱动兼容性。较小的寄生电容意味着更少的驱动能量需求，有利于降低控制器的驱动负担，并提升系统的整体效率。同时，输出电容Coss仅为140pF，有助于减少关断过程中的能量损耗，抑制电压尖峰，提高电磁兼容性（EMC）表现。
　　UTT4N10G-TN3-R具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），使其能够在恶劣环境条件下可靠运行，例如工业控制、汽车电子外围电路或高温密闭空间内的电源模块。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不致损坏，增强了系统的鲁棒性和长期稳定性。
　　TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的热传导性能，底部金属焊盘可以直接连接到PCB上的大面积铜箔以实现高效散热。该封装易于自动化贴装，符合现代SMT生产工艺要求，适合大规模生产。此外，卷带包装（-R后缀）便于使用自动贴片机进行高速装配，提升了制造效率，降低了人工成本。综合来看，UTT4N10G-TN3-R是一款兼顾性能、可靠性与经济性的功率MOSFET，适用于多种中低功率电源应用场景。

UTT4N10G-TN3-R因其优异的电气特性和紧凑的封装形式，被广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于初级侧或次级侧的开关元件，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中作为主控开关或同步整流器使用，能够有效提升转换效率并降低温升。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件凭借其低导通电阻和快速开关特性，适用于Buck、Boost及Buck-Boost电路中的功率开关，特别适合便携式设备如笔记本电脑适配器、移动电源、LED驱动电源等对体积和效率有较高要求的产品。
　　在电机驱动领域，UTT4N10G-TN3-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，实现精确的速度和方向控制。其4A的连续漏极电流能力足以满足大多数微型电机的驱动需求，同时具备足够的安全裕量应对启动电流冲击。此外，该器件也适用于各类负载开关应用，例如在主板电源管理中控制不同功能模块的供电通断，或在电池供电设备中作为电源路径切换开关，防止反向电流和短路故障。
　　在家用电器中，如智能电表、空调外机控制板、洗衣机电机控制单元等，UTT4N10G-TN3-R可用于继电器替代方案，实现无触点开关，提高系统寿命和可靠性。在光伏逆变器、UPS不间断电源等新能源相关设备中，也可作为辅助电源或隔离驱动电路的一部分。得益于其良好的热稳定性和抗干扰能力，该器件在工业自动化控制系统中也有广泛应用，包括PLC输入输出模块、传感器供电开关等场景。总之，UTT4N10G-TN3-R是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于从消费电子到工业控制等多个领域的电源开关与能量转换任务。

UTT4N10E-TA3-R
　　AP4403GM-HF
　　SI4403DY-T1-E3
　　FDS4435B
　　IRF540NPBF