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2ED2183S06FXUMA1 发布时间 时间:2024/3/27 15:28:21 查看 阅读:199

2ED2183S06FXUMA1是一种半桥式高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术,在VS引脚(VCC=15V)的瞬态电压下,具有优异的坚固性和抗噪性,能够在负电压高达-11VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET,SiCMOSFET或IGBT,其工作电压可达650v。 

基础介绍

  厂商型号:2ED2183S06FXUMA1

  品牌名称:Infineon(英飞凌)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:PG-DSO-8-53

  型号介绍:高速、高电压驱动器

特点

  工作电压(VS节点)高达+650V

  VS负瞬态抗扰100V

  集成超快、低电阻自举二极管,减少了物料清单成本

  浮动通道,用于自举操作

  集成直通保护,内置死区时间(400ns)

  最大电源电压:25V

  两个通道均具有独立的欠压锁定(UVLO)

  传播延时:200ns

  HIN,/LIN输入逻辑

  VS引脚的逻辑操作高达–11V

  输入负电压容差:–5V

  浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiCMOSFET或IGBT

应用领域

  电动工具

  电机控制和驱动-英飞凌(Infineon)官网

  电源

  家用电器

中文参数

商品分类栅极驱动IC品牌Infineon(英飞凌)
封装PG-DSO-8-53包装圆盘
电压-供电10V~20V工作温度-40°C~125°C(TA)
安装类型表面贴装型基本产品编号2ED2183
HTSUS8542.39.0001驱动配置半桥
通道类型同步驱动器数1
栅极类型IGBT,N沟道MOSFET逻辑电压-VIL,VIH1.1V,1.7V
电流-峰值输出(灌入,拉出)2.5A,2.5A输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)15ns,15ns高压侧电压-最大值(自举)650V
产品应用汽车级

环境与出口分类

RoHS状态符合ROHS3规范湿气敏感性等级(MSL)3(168小时)
ECCNEAR99

原理图

2ED2183S06FXUMA1原理图

2ED2183S06FXUMA1原理图

引脚

2ED2183S06FXUMA1原理图

2ED2183S06FXUMA1引脚图

封装

2ED2183S06FXUMA1封装图

2ED2183S06FXUMA1封装

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2ED2183S06FXUMA1图片

2ED2183S06FXUMA1

2ED2183S06FXUMA1参数

  • 现有数量4,960现货
  • 价格1 : ¥25.76000剪切带(CT)2,500 : ¥10.57346卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型同步
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH1.1V,1.7V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.5A,2.5A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)650 V
  • 上升/下降时间(典型值)15ns,15ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装PG-DSO-8-53