2ED2183S06FXUMA1是一种半桥式高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高低侧参考输出通道。基于英飞凌的soi技术,在VS引脚(VCC=15V)的瞬态电压下,具有优异的坚固性和抗噪性,能够在负电压高达-11VDC的情况下保持运行逻辑。器件中没有任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁存。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET,SiCMOSFET或IGBT,其工作电压可达650v。
工作电压(VS节点)高达+650V
VS负瞬态抗扰100V
集成超快、低电阻自举二极管,减少了物料清单成本
浮动通道,用于自举操作
集成直通保护,内置死区时间(400ns)
最大电源电压:25V
两个通道均具有独立的欠压锁定(UVLO)
传播延时:200ns
HIN,/LIN输入逻辑
VS引脚的逻辑操作高达–11V
输入负电压容差:–5V
浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiCMOSFET或IGBT
电动工具
电机控制和驱动-英飞凌(Infineon)官网
电源
家用电器
商品分类 | 栅极驱动IC | 品牌 | Infineon(英飞凌) |
封装 | PG-DSO-8-53 | 包装 | 圆盘 |
电压-供电 | 10V~20V | 工作温度 | -40°C~125°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | 2ED2183 |
HTSUS | 8542.39.0001 | 驱动配置 | 半桥 |
通道类型 | 同步 | 驱动器数 | 1 |
栅极类型 | IGBT,N沟道MOSFET | 逻辑电压-VIL,VIH | 1.1V,1.7V |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 2.5A,2.5A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 15ns,15ns | 高压侧电压-最大值(自举) | 650V |
产品应用 | 汽车级 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) |
ECCN | EAR99 |
2ED2183S06FXUMA1原理图
2ED2183S06FXUMA1引脚图
2ED2183S06FXUMA1封装