容量：256K x 16位
　　访问时间：5.4 ns（典型值）
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大工作频率：约166 MHz
　　数据保持电压：2V
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　功耗（典型值）：约1.5W

HM51W17400TS-6 是一款高性能的CMOS SRAM，具有高速访问时间和低功耗的特点。该芯片采用先进的CMOS技术制造，确保在高速运行的同时保持较低的功耗。其访问时间可低至5.4 ns，适用于对时间要求极为苛刻的实时系统。此外，该芯片支持TTL电平输入，便于与多种控制器和处理器进行接口连接。
　　在封装方面，HM51W17400TS-6 使用TSOP-II封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适合在空间受限的电路设计中使用。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作，适用于工业自动化、通信基础设施和嵌入式控制系统等领域。
　　该SRAM芯片支持异步读写操作，具有简单的地址和数据接口，便于系统集成。其地址线为A0-A17，数据线为DQ0-DQ15，支持16位数据宽度，适用于需要高带宽数据传输的应用场景。此外，该芯片还具备数据保持功能，在掉电情况下可保持数据完整性，前提是提供足够的数据保持电压（最低2V）。

HM51W17400TS-6 广泛应用于需要高速存储访问的嵌入式系统和通信设备中。例如，在工业控制设备中，它可作为高速缓存或临时数据存储器，用于提高系统响应速度；在网络设备（如路由器和交换机）中，该芯片可用于存储路由表或快速处理数据包信息；在医疗设备和测试仪器中，该SRAM芯片也可用于高速数据采集和缓存。
　　此外，该芯片适用于高可靠性系统，如航空航天和汽车电子系统，因其能够在宽温度范围内稳定工作。在视频处理系统、图形加速器和FPGA开发平台中，该芯片也可作为高速缓存或帧缓冲器使用。由于其16位数据宽度和高速访问能力，该芯片在数字信号处理（DSP）系统中也具有良好的应用前景。

ISSI IS61WV25616BLL-10BLLI、Cypress CY62148EALLI、Microchip SST39VF400A、Alliance AS6C62256A