时间：2025/6/11 21:18:53
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UTT30N06L-TN3-R 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。该器件主要适用于需要高效率和低功耗的开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等。它具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，可以有效降低功率损耗并提高系统性能。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，能够满足大多数低压应用需求。同时，其栅极阈值电压设计使得驱动电路易于实现，非常适合工业、消费电子以及汽车领域的各种应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极阈值电压：2.5V 至 4.5V
总功耗：11.9W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 较高的连续漏极电流能力（30A），确保在大电流负载下稳定运行。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适合极端环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 小型化封装（TO-252），节省 PCB 空间并简化布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电池保护和电源分配。
7. 消费电子产品中的高效能电源解决方案。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF06L
